BAS21TW 时间：2025/6/6 11:42:06 阅读：4

BAS21TW是一种小型表面贴装双二极管芯片，广泛应用于各种高频和射频电路中。该器件具有低电容、快速恢复时间和高频率特性，非常适合在高频开关、ESD保护、信号耦合和解耦等场景中使用。其封装形式为SOT-363（SC-88A），非常适用于需要节省空间的紧凑型设计。
　　BAS21TW内部包含两个齐纳二极管，它们以反向串联的方式连接，这种结构使其能够提供对称的双向过电压保护功能。此外，它还具有良好的稳定性和可靠性，在恶劣环境下也能保持正常工作。

参数

最大重复峰值反向电压：3.3V
　　正向电流：50mA
　　齐纳电压（典型值）：3.0V
　　齐纳电阻（最大值）：7Ω
　　结电容：4pF
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　存储温度范围：-65℃至+150℃
　　封装形式：SOT-363（SC-88A）

特性

1. 内部集成两个齐纳二极管，可实现双向过压保护。
　　2. 高频率性能，适合高频和射频应用。
　　3. 快速恢复时间，能够有效应对瞬态电压波动。
　　4. 小型化SOT-363封装，节省PCB板空间。
　　5. 低结电容设计，减少对高频信号的影响。
　　6. 稳定的工作特性和较高的环境适应性，能够在宽温度范围内可靠运行。

应用

BAS21TW常用于以下领域：
　　1. 手机和其他便携式电子设备中的ESD保护。
　　2. 高频通信设备中的信号耦合与解耦。
　　3. 工业自动化设备中的瞬态电压抑制。
　　4. 数据传输接口的保护，如USB、HDMI和以太网端口。
　　5. 各种消费类电子产品中的过电压保护电路。
　　6. 汽车电子系统中的信号调理和保护功能。