类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：40A
　　漏源极电压（VDS）：30V
　　栅源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：12mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散：120W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

GL5LR4 MOSFET采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗并提高了效率。其最大漏源极电压为30V，适用于中低压功率应用。该器件的栅极驱动电压范围为±20V，通常在10V栅极电压下工作，以实现最佳的导通性能。
　　此外，GL5LR4具备良好的热稳定性和较高的功率耗散能力（120W），能够适应较为严苛的工作环境。其TO-252（DPAK）封装形式提供了较好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于在PCB上安装和集成。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。同时，其内部结构设计优化，降低了寄生电容和电感，提高了器件在高频工作下的稳定性。GL5LR4在高温环境下依然能保持稳定的性能，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子系统。

GL5LR4主要应用于各种电源管理系统，如同步整流、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池充电与保护电路等。此外，它也常用于电机驱动、电源分配系统以及各类消费类电子产品中的高效功率控制电路。由于其出色的导通性能和热稳定性，GL5LR4也适用于高密度电源模块和便携式设备的电源管理单元。

Si4410BDY-T1-GE3, IRF3708PBF, FDS4410A, AO4408A