时间：2025/3/28 15:04:12
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STGW50HF60SD是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款碳化硅（SiC）MOSFET功率模块。该器件采用先进的碳化硅技术，具有出色的开关性能和高效率特性。其额定电压为1200V，连续漏极电流可达50A，适用于高功率密度、高频工作的工业和汽车应用领域。
这款模块广泛用于太阳能逆变器、电动汽车充电设备、不间断电源（UPS）、电机驱动等领域，能够显著提高系统的效率并减少热损耗。
额定电压：1200V
连续漏极电流：50A
导通电阻：9.8mΩ（典型值）
开关频率：高达100kHz
封装形式：半桥配置
工作结温范围：-55℃至175℃
总栅极电荷：43nC（典型值）
输入电容：2100pF（典型值）
STGW50HF60SD采用了碳化硅材料，具备优异的电气特性和热性能。与传统的硅基器件相比，它具有更低的导通电阻和开关损耗，可支持更高的开关频率，从而缩小无源元件的尺寸并优化系统设计。
此外，该模块内置了全面的保护功能，例如过流保护和短路耐受能力，确保在严苛环境下的可靠运行。
STGW50HF60SD还具有较低的寄生电感，有助于降低电磁干扰（EMI），同时提高了整体系统的稳定性。其紧凑的半桥拓扑结构非常适合空间受限的应用场景。
太阳能光伏逆变器
电动汽车车载充电器（OBC）
直流-直流转换器
电机驱动控制器
工业电源及UPS系统
快速充电站
高效功率变换设备
STGW75H12W1D
STGW80H650SD
STMFP50R2K6S
C2M10100D（Infineon产品线）
