BAS21AW,115是一款由Nexperia生产的表面贴装硅开关二极管。该器件专为高频应用设计,具备快速开关特性和低电容特性,适用于各种信号处理和整流应用。该二极管采用SOT-23(TO-236AB)封装,适用于自动化装配流程,具有良好的热稳定性和机械强度。
类型:硅开关二极管
最大重复峰值反向电压(VRRM):100 V
最大平均整流电流(IO):200 mA
峰值浪涌电流(IFSM):1.25 A
反向漏电流(IR):100 nA(最大值,@ 100 V)
正向压降(VF):1.25 V(最大值,@ 200 mA)
电容(CT):3 pF(@ 0 V,1 MHz)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
BAS21AW,115具有多项优异的电气和物理特性,使其在高频电子电路中表现出色。首先,该器件的低电容(仅3 pF)使其非常适合用于高频信号切换和高速整流应用,确保信号的完整性和最小的失真。其次,其快速恢复时间(trr < 50 ns)能够有效减少开关损耗,提高系统的效率和稳定性。
此外,该二极管的最大反向电压为100 V,能够在较宽的电压范围内稳定工作,适应多种电路设计需求。其正向压降最大为1.25 V,在200 mA电流下仍能保持较低的功耗,有助于减少发热并提高能效。同时,器件的反向漏电流极低(最大100 nA),在高温环境下仍能保持良好的阻断性能。
采用SOT-23封装,BAS21AW,115具备良好的热管理能力,适合在紧凑的PCB布局中使用,并支持回流焊等现代装配工艺。
BAS21AW,115广泛应用于多个电子领域,包括通信设备、工业控制、消费类电子产品和汽车电子系统。在通信设备中,该器件可用于高频信号切换、检波和混频电路;在工业控制系统中,常用于继电器驱动、保护电路和电源整流;在消费类电子产品中,该二极管适用于电源适配器、充电电路和信号处理模块;在汽车电子系统中,可用于车载充电器、传感器电路和DC-DC转换器等应用。
由于其优异的高频特性和紧凑封装,BAS21AW,115也常用于便携式设备、无线模块和射频前端电路中,作为信号路径的开关或保护元件。其高可靠性和宽工作温度范围使其适用于严苛环境下的电子系统。
BAS16, 1N4148W, BAV99W