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MMBZ5255A 发布时间 时间:2025/8/14 11:34:43 查看 阅读:33

MMBZ5255A 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装(SOT-23封装)齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和电压调节应用。该器件具有较高的稳定性和较低的动态阻抗,适用于便携式设备、电源管理电路、电池供电系统以及其他需要精确电压参考的场合。MMBZ5255A 的标称齐纳电压为20V,额定功耗为200mW,能够在较宽的温度范围内保持稳定的电压输出。

参数

类型:齐纳二极管
  封装类型:SOT-23
  标称齐纳电压(Vz):20V @ Iz = 20mA
  最大耗散功率(Pd):200mW
  最大齐纳电流(Izmax):100mA
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  动态阻抗(Zzt):约 20Ω @ Iz = 20mA
  漏电流(Ir):最大 100nA @ Vr = 18V
  测试电流(Izt):20mA

特性

MMBZ5255A 齐纳二极管具有多项优异的电气和物理特性,适合用于精密电压参考和调节应用。首先,其采用SOT-23小型表面贴装封装,节省PCB空间,便于自动化生产和高密度布局,适合现代电子设备对小型化的需求。
  其次,该器件具有较高的电压稳定性,在额定电流下齐纳电压波动较小,确保系统工作的可靠性。其动态阻抗较低,意味着在负载变化时电压波动小,有助于提高电路的稳定性。
  此外,MMBZ5255A 的漏电流非常低(最大100nA),在反向截止状态下几乎不消耗额外功率,适用于低功耗和电池供电应用。其工作温度范围宽广(-55°C至+150°C),可在恶劣环境下稳定运行,适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。
  该器件的额定功耗为200mW,可承受一定的功率波动,具有一定的过载能力。同时,其齐纳电压随温度变化的系数较小,表现出良好的温度稳定性,适合用于对精度要求较高的场合。
  综上所述,MMBZ5255A 凭借其高稳定性、低漏电流、小封装和宽工作温度范围,成为一款适用于多种电压调节和参考应用的高性能齐纳二极管。

应用

MMBZ5255A 主要应用于需要稳定电压参考的各种电子电路中。例如,在电源管理模块中,它可作为基准电压源,为比较器、运算放大器或ADC/DAC提供参考电压。在电池供电设备中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,该齐纳二极管用于电压调节和保护电路,防止电压过高损坏敏感元件。
  在工业控制系统中,MMBZ5255A 可用于传感器信号调理电路,确保测量精度。在汽车电子中,它可用于车载电源系统、车载充电器和电池管理系统,提供稳定的电压基准。此外,该器件还可用于稳压电源、LED驱动电路、逻辑电平转换以及电压监测电路等。
  由于其低漏电流特性,MMBZ5255A 也适用于高阻抗电路和低功耗设计,如便携式医疗设备、无线通信模块和物联网设备中的电压参考和保护电路。

替代型号

MMBZ5255ALT1G, MMBZ5255B, 1N4749A, BZX84-C20

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