时间：2025/8/14 18:35:01
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BAS19-AU_R1_000A1 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用而设计。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于各类电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等应用场景。BAS19-AU_R1_000A1 采用紧凑的表面贴装封装形式，便于在高密度 PCB 设计中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：5A
导通电阻（Rds(on)）：25mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOP-8
BAS19-AU_R1_000A1 MOSFET 具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，从而减少发热并提升整体性能。这在高电流应用场景中尤为重要，例如电源转换器和电机驱动电路。
其次，该器件具有较高的最大漏源电压（Vds）耐受能力（30V），使其能够适应较高电压的系统需求，适用于多种中低压功率控制场合。此外，±20V 的最大栅源电压容限确保了栅极驱动电路的兼容性和稳定性，即使在电压波动较大的情况下也能保持可靠运行。
该MOSFET采用SOP-8封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，同时具备良好的热管理能力，确保在高功率密度环境下的稳定运行。
最后，BAS19-AU_R1_000A1 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应广泛的工业环境，适用于汽车电子、工业自动化、通信设备等多种高可靠性应用场景。
BAS19-AU_R1_000A1 MOSFET 主要用于需要高效功率控制和转换的电子系统中。
在电源管理领域，该器件可用于同步整流型DC-DC转换器、降压（Buck）或升压（Boost）变换器，提高转换效率并减少能量损耗。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于高负载电流的电源模块。
在电池管理系统中，BAS19-AU_R1_000A1 可用于充放电控制电路或负载开关，实现对电池能量流动的精确控制，提升系统安全性和稳定性。
此外，该MOSFET还可用于电机驱动电路、LED驱动器、负载开关和热插拔电路等应用场合，满足各类电子设备对高可靠性和高效率功率控制的需求。
由于其良好的热稳定性和宽工作温度范围，BAS19-AU_R1_000A1 也广泛应用于汽车电子系统、工业自动化设备和通信基础设施等领域。
Si2302DS, AO3400A, IRF7404, FDS6675, BSS138K
