类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.36Ω @ VGS = 10V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.47Ω @ VGS = 4.5V
　　最大功耗（PD）：32W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-220AB

NDB710BE MOSFET 采用先进的 Trench 工艺技术，具有较低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽（支持 4.5V 至 10V 驱动），兼容多种驱动电路设计，包括常见的逻辑电平驱动器。
　　其 TO-220AB 封装形式具备良好的热性能，便于散热，适合在持续高电流工作条件下使用。
　　此外，NDB710BE 具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在开关瞬态过程中的可靠性，适用于电机控制、DC-DC 转换器、负载开关和电源管理系统等应用场合。
　　该 MOSFET 还具有快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高工作频率，同时减少外围电路的复杂度。

NDB710BE 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制部分。
　　它适用于中等功率级别的开关电路，如电源适配器、电池充电器、LED 照明驱动器以及各类嵌入式控制系统中的功率 MOSFET 开关应用。
　　此外，该器件也可用于汽车电子系统、智能电表、UPS（不间断电源）系统等对功率效率和稳定性要求较高的场景。

NDS710N, FDPF710, IRFZ44N, FQP7N10L