时间：2025/9/2 9:31:08
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H5AN8G8NCJR-VKC 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一种DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器芯片采用先进的技术制造，具备高容量和高性能的特点，适用于各种需要高速数据处理的电子设备。其主要功能是为系统提供临时的数据存储，确保设备在运行过程中能够快速访问所需数据。
容量：8Gbit
类型：DRAM
封装类型：BGA
数据速率：1600Mbps
电压：1.8V
工作温度范围：-40°C至85°C
H5AN8G8NCJR-VKC 采用BGA（球栅阵列）封装技术，这种封装方式不仅提供了良好的电气性能，还提高了芯片的散热效率，确保在高负载下依然保持稳定运行。该芯片的容量为8Gbit，适用于需要大量数据缓存的应用场景，如高性能计算、图形处理和嵌入式系统。其数据传输速率达到1600Mbps，可以显著提升系统的数据处理能力，减少延迟。
此外，H5AN8G8NCJR-VKC 工作电压为1.8V，相较于传统DRAM芯片，功耗更低，有助于延长设备的电池寿命，并减少热量的产生。其工作温度范围为-40°C至85°C，使其能够在各种恶劣环境下稳定运行，适应性强。
这款DRAM芯片还具备高可靠性和长寿命，适合用于工业控制、通信设备和消费类电子产品等对性能和稳定性有较高要求的领域。
H5AN8G8NCJR-VKC 广泛应用于多个领域，包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑和高性能计算设备。在智能手机和平板电脑中，它可以提供快速的数据访问能力，提升用户体验。在高性能计算设备中，该芯片能够满足复杂的计算需求，支持多任务处理和大数据分析。此外，H5AN8G8NCJR-VKC 还可用于网络设备、服务器和嵌入式系统，确保这些设备在高强度工作环境下保持高效运行。
H5AN8G8NCJR-VKC的替代型号包括H5AN8G8NBJR-VKC和H5AN8G8NBJR-VMC
