时间：2025/7/17 21:57:37
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ITS4142N是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其典型应用场景包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等。该芯片通过优化设计，能够在高频率下提供高效的功率传输，同时保持较低的功耗。
型号：ITS4142N
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-252/DPAK
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：4.2mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：19W
工作结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
栅极电荷(Qg)：16nC
输入电容(Ciss)：1030pF
ITS4142N具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可显著降低功率损耗。
2. 高效的开关性能，适合高频应用。
3. 优秀的热稳定性，能够适应恶劣的工作环境。
4. 小型化封装，便于电路板布局和设计。
5. 高耐压能力，确保在各种复杂条件下的可靠运行。
6. 快速开关速度，减少开关损耗并提高系统效率。
这些特点使得ITS4142N成为众多功率转换和开关应用的理想选择。
ITS4142N广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 负载开关及保护电路。
5. 工业设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子中的各种开关和驱动功能。
由于其出色的电气特性和可靠性，该器件在消费电子、工业自动化和汽车电子等多个行业中得到广泛应用。
ITS4142L, FDN340P, AO3400
