BAR64-02W是一种基于硅的双向瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,主要用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他过压瞬态的影响。该器件具有极低的电容和快速响应时间,非常适合高速数据线和信号线的保护。
BAR64-02W采用紧凑型封装设计,能够有效节省PCB空间,同时其卓越的钳位性能使其成为各种消费类电子、通信设备以及工业应用的理想选择。
工作电压:6V
击穿电压:8.5V
最大箝位电压:13.4V
峰值脉冲电流:37A
电容:0.4pF
响应时间:1ps
结温范围:-55℃至+150℃
BAR64-02W具备以下关键特性:
1. 双向保护功能,适用于差分信号线保护。
2. 极低的负载电容(0.4pF),对高速数据传输影响小。
3. 快速响应时间(1ps),能够迅速抑制瞬态电压。
4. 高度可靠的ESD防护能力,符合IEC 61000-4-2标准,可承受±30kV接触放电和±30kV空气放电。
5. 紧凑型封装(如DFN1006-2L),有助于减少PCB占用面积。
6. 工作温度范围广(-55℃至+150℃),适应多种环境条件。
7. 符合RoHS标准,环保无铅。
BAR64-02W广泛应用于以下领域:
1. 高速数据接口保护,例如USB、HDMI、DisplayPort等。
2. 移动设备中的射频(RF)天线保护。
3. 通信设备中的信号线保护,例如以太网、RS-232、RS-485等。
4. 工业自动化系统中的传感器和控制线路保护。
5. 消费类电子产品中的ESD防护,例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。
6. 汽车电子系统的信号保护,例如CAN总线、LIN总线等。
PESD6V1XMB、SMTC6V1A-HTSA、CANH04G