时间：2025/6/28 15:11:02
阅读：9
FQPF2NA90是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频开关电路、电源管理以及电机驱动等领域。该器件采用TO-220封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，同时支持快速开关性能。
最大漏源电压：900V
最大连续漏极电流：2A
最大脉冲漏极电流：15A
栅极阈值电压：3V至6V
导通电阻：典型值7.5Ω
总功耗：24W
工作温度范围：-55℃至+150℃
FQPF2NA90具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关速度，能够满足高频应用需求。
4. 稳定的电气性能，在宽温度范围内保持可靠性。
5. 采用标准TO-220封装，便于安装与散热设计。
该MOSFET适用于多种电子设备及系统中，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）中的高频开关元件。
2. 直流-直流转换器中的同步整流器。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 电磁阀和继电器驱动。
5. 各类工业自动化控制设备中的开关组件。
IRF840, FQP2N90
