GA1206A681GBABT31G 是一款基于 NAND 构架的高密度存储芯片,专为需要大容量数据存储的应用场景设计。该芯片采用先进的工艺制程制造,具备高速读写性能、低功耗和高可靠性的特点,适用于工业级和消费级市场中的嵌入式系统、固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘和其他数据存储设备。
该芯片支持多种接口协议,并在数据完整性、纠错能力等方面表现出色,能够满足大数据时代对高性能存储的需求。
存储容量:128GB
工作电压:1.8V - 3.3V
接口类型:Toggle Mode 2.0
数据传输速率:400MT/s
封装形式:BGA
工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
擦写寿命:3000 次 (典型值)
数据保持时间:10 年 (典型值)
GA1206A681GBABT31G 的主要特性包括高效的数据管理机制,通过内置的 ECC(Error Correction Code)引擎提供强大的错误检测与纠正功能,确保数据的完整性和可靠性。
同时,该芯片具有较低的功耗,在待机模式下电流消耗极小,非常适合电池供电的便携式设备。
此外,其支持的 Toggle Mode 2.0 接口可实现更快的数据传输速度,进一步提升系统性能。
该芯片还集成了多种保护机制,例如过压保护、短路保护等,从而提高产品在复杂环境下的稳定性。
GA1206A681GBABT31G 主要应用于以下领域:
- 工业控制设备中的嵌入式存储模块
- 消费类电子产品的数据存储单元,如智能手机、平板电脑和数码相机
- 固态硬盘(SSD)及 USB 闪存盘的核心存储组件
- 网络通信设备中用于日志记录和配置文件保存的非易失性存储
- 医疗设备中的数据记录与分析模块
GA1206A641GBABT31G
GA1206A681GBABT21G
GA1206A681GBABT41G