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GA1206A681GBABT31G 发布时间 时间:2025/6/30 13:53:24 查看 阅读:3

GA1206A681GBABT31G 是一款基于 NAND 构架的高密度存储芯片,专为需要大容量数据存储的应用场景设计。该芯片采用先进的工艺制程制造,具备高速读写性能、低功耗和高可靠性的特点,适用于工业级和消费级市场中的嵌入式系统、固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘和其他数据存储设备。
  该芯片支持多种接口协议,并在数据完整性、纠错能力等方面表现出色,能够满足大数据时代对高性能存储的需求。

参数

存储容量:128GB
  工作电压:1.8V - 3.3V
  接口类型:Toggle Mode 2.0
  数据传输速率:400MT/s
  封装形式:BGA
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
  擦写寿命:3000 次 (典型值)
  数据保持时间:10 年 (典型值)

特性

GA1206A681GBABT31G 的主要特性包括高效的数据管理机制,通过内置的 ECC(Error Correction Code)引擎提供强大的错误检测与纠正功能,确保数据的完整性和可靠性。
  同时,该芯片具有较低的功耗,在待机模式下电流消耗极小,非常适合电池供电的便携式设备。
  此外,其支持的 Toggle Mode 2.0 接口可实现更快的数据传输速度,进一步提升系统性能。
  该芯片还集成了多种保护机制,例如过压保护、短路保护等,从而提高产品在复杂环境下的稳定性。

应用

GA1206A681GBABT31G 主要应用于以下领域:
  - 工业控制设备中的嵌入式存储模块
  - 消费类电子产品的数据存储单元,如智能手机、平板电脑和数码相机
  - 固态硬盘(SSD)及 USB 闪存盘的核心存储组件
  - 网络通信设备中用于日志记录和配置文件保存的非易失性存储
  - 医疗设备中的数据记录与分析模块

替代型号

GA1206A641GBABT31G
  GA1206A681GBABT21G
  GA1206A681GBABT41G

GA1206A681GBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-