B9NK50Z 时间：2025/7/22 6:18:01 阅读：5

B9NK50Z 是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适合于DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及各种高功率应用。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.23Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

特性

B9NK50Z具有多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以有效降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该MOSFET具备高耐压能力，漏源电压最大可达500V，适用于高电压工作环境。此外，B9NK50Z的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的栅源电压，使得其在不同的控制电路中具有较高的灵活性。
　　该器件采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能和机械稳定性，有助于在高功率工作条件下维持较低的结温，延长使用寿命。同时，其内部结构设计优化了雪崩能量承受能力，增强了器件在突发高电压情况下的可靠性。最后，B9NK50Z在高温环境下依然能够保持稳定的性能，适用于工业级温度范围内的各种严苛应用。

应用

B9NK50Z常用于各类电力电子设备中，如AC-DC电源适配器、DC-DC降压或升压转换器、太阳能逆变器、电机驱动器以及智能电表等。此外，它也适用于需要高效率开关性能的负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统中。由于其高耐压和低导通电阻的特点，B9NK50Z在高功率密度和高效率要求的应用中具有明显优势。