时间:2025/12/27 12:46:11
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B9823是一款由ONSEMI(安森美)生产的高效率、电流模式PWM控制器,专为离线式开关电源设计。该器件主要应用于低功率AC-DC转换场合,如手机充电器、适配器、家用电器辅助电源等。B9823采用固定频率反激式拓扑结构,内置高压启动电路和源极驱动器,能够显著简化电源系统的设计并减少外部元器件数量。该芯片具备多种保护功能,包括过载保护、过压保护、过温保护以及前沿消隐技术,以提高系统的稳定性和可靠性。其封装形式通常为SOT-23或类似的小型化封装,有助于节省PCB空间,适用于紧凑型电源设计。B9823在轻载和待机状态下具有优异的能效表现,符合国际能效标准,如Energy Star和DoE Level VI等环保要求。此外,该芯片的工作电压范围宽,可在较宽的输入电压条件下稳定运行,适合全球通用输入电压的应用场景。通过优化的内部电路设计,B9823能够在保证高性能的同时降低整体系统成本,是中小功率开关电源中理想的控制解决方案之一。
型号:B9823
制造商:ON Semiconductor (ONSEMI)
封装类型:SOT-23
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
最大开关频率:65 kHz
启动电压:约12 V
工作电压范围:8 V 至 20 V
电流检测阈值:典型值300 mV
输出驱动能力:图腾柱输出,可驱动MOSFET
控制模式:电流模式PWM控制
保护功能:过流保护、过压保护、过温保护、前沿消隐
功耗:典型值小于100 mW(待机状态)
引脚数:6
B9823具备多项先进的设计特性,使其在低功率开关电源应用中表现出色。首先,它集成了高压启动电路,允许芯片直接从整流后的高压母线启动,无需额外的启动电阻网络,这不仅加快了启动速度,还降低了待机功耗。其次,该芯片采用电流模式控制架构,提供快速的瞬态响应和良好的线路与负载调节性能,同时便于环路补偿设计。其内置的前沿消隐(Leading Edge Blanking, LEB)功能可以有效抑制MOSFET开通瞬间产生的电流尖峰干扰,防止误触发过流保护,从而提升系统稳定性。
B9823还具备完善的多重保护机制。当发生输出过载或短路故障时,芯片会自动进入“打嗝”模式(Hiccup Mode),周期性地尝试重启,限制平均输出功率,避免持续过热损坏。过压保护(OVP)功能监控反馈回路状态,一旦检测到异常高压即切断输出,保障后级电路安全。过温保护(OTP)则在芯片结温超过安全阈值时自动关闭输出,待温度下降后恢复正常工作,增强了长期运行的可靠性。
该器件在能效方面表现优异,尤其在轻载和空载条件下仍能维持高效率,得益于其动态调整的开关频率和低静态电流设计。典型静态电流低于1 mA,显著降低了待机能耗,满足严苛的能源法规要求。此外,B9823具有良好的EMI性能,通过优化的栅极驱动波形和软启动机制减少高频噪声辐射,有利于通过电磁兼容认证。其小型SOT-23封装不仅节省空间,也便于自动化生产装配,适用于高密度、低成本的消费类电子产品电源设计。
B9823广泛应用于各类低功率AC-DC开关电源中,典型应用场景包括手机充电器、USB电源适配器、智能家居设备电源模块、路由器和机顶盒的辅助电源、白色家电中的小功率供电单元等。由于其高集成度和高可靠性,该芯片特别适合对体积、成本和能效有较高要求的消费类电子产品。此外,也可用于LED照明驱动电源、工业传感器供电模块以及IoT设备的嵌入式电源系统。其宽输入电压适应能力使其支持85VAC至265VAC的通用市电输入,适用于全球市场销售的产品。在设计上,B9823常用于反激式(Flyback)拓扑结构,配合外置MOSFET和变压器实现隔离型直流输出,适用于5W至25W范围内的功率需求。其出色的轻载效率和低待机功耗特性,使其成为满足Energy Star、California Title 20以及欧盟CoC Tier 2等能效规范的理想选择。对于需要高可靠性和长寿命的工业或医疗辅助电源,B9823的多重保护功能和温度稳定性也提供了有力保障。
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SM7932B
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