类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：900V
　　漏极电流（ID）：20A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω（最大）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（PD）：300W
　　热阻（RθJC）：0.417°C/W

IXGN20N90 MOSFET具备多项先进特性，使其在高压高功率应用中表现出色。首先，其高击穿电压（900V）确保了在高电压环境下的稳定运行，适用于各种高电压转换器和逆变器系统。其次，低导通电阻（RDS(on)）降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，器件的高电流承载能力（20A）允许其在大功率负载下可靠运行。
　　该MOSFET的热阻较低（0.417°C/W），表明其具有良好的散热性能，能够在高功率耗散（300W）下维持较低的工作温度，从而提高长期可靠性。TO-247封装提供了良好的机械稳定性和易于安装的特性，适用于工业级应用环境。
　　IXGN20N90还具有快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频操作。其栅极驱动要求较低（±20V），兼容常见的驱动电路，便于集成到现有系统中。此外，该器件具备良好的短路和过热保护能力，在严苛条件下仍能保持稳定。

IXGN20N90 MOSFET主要应用于需要高电压和高电流能力的电力电子系统中。常见的应用包括：
　　1. **电源转换器**：如DC-DC转换器、AC-DC整流器等，用于高效转换和调节电源。2. **逆变器**：用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电机驱动系统，将直流电转换为交流电。3. **电机控制**：适用于工业电机驱动和电动汽车电机控制器，提供高效的功率控制。4. **工业自动化设备**：如变频器、电焊机、高频电源等，用于控制高功率负载。5. **测试设备和电源管理系统**：用于高电压测试设备和智能电源管理系统。

IXGN20N60C3, IXFN20N90, IXTH20N90