型号：B9721
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　连续漏极电流（Id）：5.8A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Id_pulse）：23A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：26mΩ @ Vgs=10V；34mΩ @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　栅极电荷（Qg）：9nC @ Vds=15V, Id=2.9A
　　输入电容（Ciss）：400pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：140pF
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8（表面贴装）
　　功率耗散（Pd）：1.5W @ Ta=25°C

B9721采用罗姆先进的Trench MOS结构技术，显著降低了导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V时仅为26mΩ，在4.5V驱动条件下也能保持34mΩ的低阻值，这使得它在低电压、大电流的应用中能够有效减少传导损耗，提升系统效率。该器件的低Rds(on)特性特别适用于电池供电设备，如移动电源、便携式仪器和LED驱动电路，有助于延长电池续航时间。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg=9nC）和输入电容（Ciss=400pF），这意味着在高频开关应用中所需的驱动能量更少，从而降低了控制器的驱动负担，并支持更高的开关频率运行。这对于DC-DC降压变换器和同步整流电路尤为重要，可以减小外部电感和电容的尺寸，实现更紧凑的电源设计。
　　B9721具备良好的热性能，采用SOP-8封装，具有较高的散热能力，同时内部结构经过优化以减少热阻，确保在高负载条件下仍能稳定工作。其最大工作结温可达150°C，具备较强的过温耐受能力，配合适当的PCB布局和散热设计，可在严苛环境下长期可靠运行。
　　该器件还具备优异的雪崩耐量和抗瞬态电压冲击能力，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其栅氧化层经过严格工艺控制，可承受±20V的栅源电压，提高了对误操作或噪声干扰的容忍度。此外，B9721符合RoHS环保标准，无铅且符合绿色电子产品的制造要求，适用于消费类电子和工业级产品。

B9721广泛应用于各类需要高效、高频开关性能的电源管理系统中。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机中，常用于电池充放电管理电路中的负载开关或背光驱动，利用其低导通电阻和小封装优势实现节能与小型化设计。
　　在DC-DC转换器中，B9721常作为同步整流MOSFET使用，替代传统二极管以降低压降和功耗，提升转换效率，尤其是在3.3V、5V或12V输入的降压电路中表现优异。其快速开关特性和低栅极电荷使其非常适合用于高频率工作的开关电源模块，如POL（Point-of-Load）电源和VRM（电压调节模块）。
　　在电机驱动应用中，B9721可用于H桥或半桥拓扑中的低端开关，控制直流电机或步进电机的启停和方向切换，其低Rds(on)有助于减少发热，提高驱动效率。
　　此外，该器件也适用于LED恒流驱动电路、热插拔控制器、电源多路复用器以及各类过流保护电路。由于其SOP-8封装便于自动化贴片生产，因此在消费电子、智能家居设备、工业传感器和通信模块中均有广泛应用。