电容值：2.2μF
　　额定电压：25V
　　电容容差：±20%
　　温度特性：X5R
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　介质材料：陶瓷
　　端接类型：镍阻挡层（Ni-barrier）
　　直流偏置特性：典型
　　最大厚度：约1.6mm
　　包装形式：卷带包装（Tape and Reel）
　　阻抗频率特性：适用于中高频去耦
　　绝缘电阻：≥500MΩ 或 R×C≥100S（取较大值）
　　等效串联电阻（ESR）：低
　　纹波电流能力：中等

TMK325F225ZH-T采用X5R型陶瓷介质，具有稳定的电容随温度变化的特性，在-40°C至+85°C范围内电容变化不超过±15%，满足大多数工业和消费类应用对温度稳定性的要求。该电容器的电容值为2.2μF，额定电压为25V，能够承受一定的直流偏置电压而不显著降低有效电容，这使得它在电源轨去耦设计中表现良好。尽管存在直流偏压导致电容下降的现象，但在典型工作条件下仍能维持较高的可用容量。
　　该器件采用1210（3225公制）封装，是目前广泛应用的中大型贴片电容尺寸之一，提供了良好的机械强度与焊接可靠性，同时兼顾了较高的电容体积比。其镍阻挡层端接结构有效防止了银离子迁移问题，提升了长期环境耐久性，尤其适用于高湿度或高温存储条件下的应用场景。此外，该端接工艺兼容无铅回流焊工艺，符合RoHS环保标准。
　　由于其低等效串联电阻（ESR）和适中的等效串联电感（ESL），该电容器在中高频范围内表现出优异的去耦性能，常用于微处理器、FPGA、ASIC等数字IC的电源引脚旁路。它也能用于模拟电路中的噪声滤波、DC-DC转换器输出滤波以及信号路径耦合/去耦等场合。产品经过严格的质量控制流程，具备高可靠性和长寿命，适用于汽车电子、通信设备、工业控制系统及消费电子产品等多种领域。

广泛用于便携式电子设备的电源管理单元、DC-DC转换器输入输出滤波、微控制器系统去耦、现场可编程门阵列（FPGA）供电网络、射频模块旁路电容、工业自动化控制板、网络通信设备以及汽车信息娱乐系统等场景。特别适合需要稳定电容性能和较高电容密度的应用。

GRM32RR71E225KA12L