型号：DMN2004K-7-F
　　类型：N沟道MOSFET
　　连续漏极电流（Id）：680mA @ 70°C
　　漏源击穿电压（BVDSS）：20V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：0.6V ~ 0.9V
　　静态漏源导通电阻（RDS(on)）：52mΩ @ VGS=4.5V；65mΩ @ VGS=2.5V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　功耗（Pd）：350mW
　　输入电容（Ciss）：120pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：4ns
　　关断延迟时间（td(off)）：10ns
　　反向恢复时间（trr）：未集成体二极管或快速恢复
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23 (SOT-23-3L)
　　极性：增强型 N-Channel
　　通道数：单通道

DMN2004K-7-F采用了先进的沟道工艺技术，实现了极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=4.5V时仅为52mΩ，在VGS=2.5V时也仅为65mΩ，这一特性使其在低电压、小电流应用场景下表现出色，显著降低了导通损耗，提升了整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，因为更低的导通电阻意味着更少的能量以热量形式耗散，从而延长了电池续航时间并减少了散热需求。同时，该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得其在高频开关操作中响应迅速，驱动功耗低，适合用于DC-DC转换器、同步整流和高速开关电路中。
　　该MOSFET的栅源阈值电压（VGS(th)）典型值为0.8V，最低可至0.6V，支持逻辑电平驱动，能够直接由3.3V或1.8V的微控制器GPIO引脚进行有效控制，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并节省了PCB空间。其最大漏源电压为20V，适用于12V及以下的电源系统，广泛应用于低压直流电源管理领域。此外，器件具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，结温最高可达+150°C，确保了在严苛工况下的长期可靠性。
　　DMN2004K-7-F采用SOT-23小型表面贴装封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，适合高密度PCB布局。该封装具有良好的散热性能，配合适当的PCB铜箔设计可有效传导热量。器件符合工业级环境标准，具备优良的抗湿性和机械强度，适用于各种消费类、工业类及便携式电子设备。同时，其无铅、无卤素的设计满足现代环保法规要求，适合出口型产品使用。总体而言，DMN2004K-7-F以其低RDS(on)、低驱动电压、小封装和高可靠性，成为现代低功耗、高性能开关应用的理想选择。

DMN2004K-7-F广泛应用于多种低电压、小功率的电子系统中，尤其适合对空间和能效有严格要求的设计场景。常见应用包括便携式电子设备中的负载开关，例如在智能手机和平板电脑中用于控制显示屏背光、摄像头模块或传感器电源的通断，通过MOSFET实现按需供电，减少待机功耗。此外，它也常用于电池供电系统的电源路径管理，例如在双电池切换或充电/放电路径控制中作为主控开关元件，确保能量高效传输并防止反向电流。
　　在DC-DC转换器电路中，DMN2004K-7-F可用于同步整流拓扑中的低边开关，利用其低导通电阻降低功率损耗，提高转换效率。同时，因其具备良好的开关速度和低输入电容，也可用于脉宽调制（PWM）控制的LED调光电路，实现精确的亮度调节。在电机驱动方面，该器件可用于微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中的低端开关，控制电机启停和方向切换，适用于玩具、微型风扇或智能家电中的小型执行机构。
　　其他典型应用还包括热插拔电路保护、USB电源开关、IoT节点中的电源管理单元（PMU）、可穿戴设备的电源控制模块以及各类嵌入式系统的信号开关。由于其支持逻辑电平驱动，可直接与微控制器或FPGA输出引脚对接，省去驱动芯片，降低系统复杂度。总之，DMN2004K-7-F凭借其小型化、高效能和易用性，已成为现代低功耗电子产品中不可或缺的核心开关元件之一。

DMG2004K-7
　　DMP2004K-7
　　FDMN2004K
　　SI2304DDS