型号：B8568
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大连续漏极电流（Id）：70A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：280A
　　最大功耗（Pd）：125W（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（@ Vgs=10V, Id=35A）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约3400pF（@ Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：未内置续流二极管或快速恢复特性
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

B8568采用高性能沟槽式MOSFET工艺，具备极低的导通电阻Rds(on)，典型值仅为4.5mΩ，在高电流应用中显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。这一特性使其非常适合用于大电流开关电源和同步整流电路中，能够有效减少发热并提升系统整体能效。器件的高载流能力得益于优化的芯片设计和封装散热结构，可在短时间内承受高达280A的脉冲电流，满足启动或瞬态负载变化的需求。
　　该MOSFET的栅极电荷Qg较低，典型值在50nC左右，这意味着驱动电路所需的能量较少，从而降低了驱动损耗，并允许更高的开关频率运行。这对于高频DC-DC变换器尤为重要，能够在保持高效率的同时缩小外围元件如电感和电容的体积，实现紧凑型电源设计。同时，输入电容Ciss约为3400pF，在同类产品中处于合理水平，有助于平衡开关速度与EMI之间的关系。
　　B8568的工作结温可达+150℃，具备良好的热稳定性和长期可靠性，能够在恶劣环境中稳定运行。其栅极氧化层经过严格工艺控制，耐压能力强，抗静电能力较高，减少了因ESD导致损坏的风险。此外，该器件符合RoHS环保要求，不含铅和有害物质，适用于现代绿色电子产品制造。
　　由于其TO-252封装形式，B8568支持表面贴装工艺，便于自动化生产，且底部带有散热片，可通过PCB铜箔进行有效散热，进一步提升功率处理能力。该器件还具备一定的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。

B8568广泛应用于各类需要高效、大电流开关控制的电力电子系统中。常见于DC-DC降压或升压转换器中作为主开关或同步整流管，特别是在多相供电架构中发挥重要作用，例如服务器主板、显卡供电模块等高性能计算设备的电源系统。其低Rds(on)和高电流承载能力使其成为理想的功率开关选择。
　　在电池管理系统（BMS）中，B8568可用于充放电回路的通断控制，实现对锂电池组的安全管理和保护。由于其响应速度快、导通压降低，可有效减少能量损耗，延长续航时间。此外，在电动工具、无人机和便携式储能设备中也常被用作主功率开关元件。
　　该器件还适用于电机驱动电路，如直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动方案中，作为上下桥臂的开关管使用。其快速开关特性和良好热性能有助于提升电机控制精度和系统效率。
　　在家用电器领域，B8568可用于空调、洗衣机、冰箱等变频控制系统中的功率切换模块；在工业控制方面，则可用于PLC输出模块、继电器替代电路或固态开关设计中。此外，由于其封装紧凑且易于散热，也适合用于LED驱动电源、逆变器和UPS不间断电源等设备中，提供高效的电能转换与控制功能。

UTM8568
　　SISS8568DY-T1-GE3
　　AOZ8568