型号：B8501
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23-3
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4.4A
　　脉冲漏极电流(Idm)：17.6A
　　导通电阻(Rds(on))：20mΩ @ Vgs=10V, 2.8A；28mΩ @ Vgs=4.5V, 2.6A
　　栅极阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　输入电容(Ciss)：530pF @ Vds=15V
　　反向传输电容(Crss)：50pF @ Vds=15V
　　输出电容(Coss)：190pF @ Vds=15V
　　开启延迟时间(Td(on))：10ns
　　关断延迟时间(Td(off))：20ns

B8501 N沟道MOSFET具备优异的开关性能和导通特性，其核心优势在于低导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V条件下可低至20mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。即使在较低的栅极驱动电压下（如4.5V），其Rds(on)仍保持在28mO左右，表明其对逻辑电平驱动具有良好的适应性，可直接由3.3V或5V微控制器IO口驱动，简化了外围电路设计。
　　该器件的栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保在低电压环境下也能可靠开启，适用于电池供电设备中常见的宽电压范围应用场景。同时，B8501具备较快的开关速度，开启延迟时间为10ns，关断延迟时间为20ns，使其能够在高频开关电源或PWM控制电路中实现高效能量转换，减少开关过程中的动态损耗。
　　在可靠性方面，B8501采用先进的硅工艺制造，具有出色的热稳定性和长期工作耐久性。其最大工作结温可达+150°C，能够在高温环境下稳定运行。封装形式为SOT-23-3，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的散热性能。器件内部集成的体二极管可在感性负载关断时提供续流路径，防止反向电动势损坏其他元件。
　　此外，B8501还具备较强的抗静电能力（ESD保护），典型HBM模型下可承受±2000V以上的静电放电冲击，提升了生产装配和现场使用的安全性。其输入电容、反向传输电容和输出电容均经过优化，在高频应用中可减少不必要的寄生振荡和噪声干扰。综合来看，B8501是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，特别适合用于DC-DC转换器、电机驱动、LED调光、电源开关和电池管理系统等场合。

B8501广泛应用于各类中低功率电子系统中，尤其适合作为高效开关元件使用。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机等，常用于电池充放电管理电路中的负载开关或背光LED驱动控制，利用其低导通电阻和小封装优势，实现节能与小型化设计。
　　在电源管理系统中，B8501可用于同步整流型DC-DC降压或升压变换器中作为主开关管或同步整流管，提高转换效率并降低发热。其快速开关特性使其适用于PWM调光或电机调速控制，能够精确调节输出功率。
　　工业控制领域中，B8501可用于继电器驱动、传感器电源开关、I/O扩展模块中的信号通断控制等场景。其逻辑电平兼容性使得可以直接由MCU GPIO驱动，无需外加电平转换或驱动芯片，简化电路结构。
　　此外，在无线通信模块（如Wi-Fi、LoRa、NB-IoT）中，B8501常被用作射频前端或基带电路的电源启停控制，实现按需供电以降低待机功耗。在智能照明系统中，也可用于多路LED灯串的独立开关控制。
　　由于其具备一定的电流承载能力和良好的热性能，B8501还可用于USB电源开关、过流保护电路中的电子保险丝（eFuse）功能实现，以及小型电机或电磁阀的驱动电路中。总之，凡涉及中小电流（≤4A）、低压（≤30V）开关控制的应用，B8501都是一种经济且可靠的解决方案。

SI2302,AP2302,SZ2302,FM2302