时间：2025/6/7 14:47:39
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PHD21N06LT 是一款 N 沣道开关 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装，适用于各种电源管理应用，包括 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。
其主要特点在于高效率的导通性能以及出色的开关特性，同时具备较低的导通电阻 Rds(on)，从而减少了功率损耗并提升了整体系统效能。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：37A
栅极阈值电压：2.1V
导通电阻（Rds(on)）：9mΩ
总功耗：24W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高效率。
2. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下能够可靠运行。
3. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
4. 支持高频开关操作，适应快速开关应用。
5. 具备较高的漏源击穿电压，增强了器件的鲁棒性。
6. 紧凑型表面贴装封装（TO-252/DPAK），便于 PCB 设计与自动化生产。
这些特性使得 PHD21N06LT 成为众多高效能功率转换设计的理想选择。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电池供电设备中的负载开关控制。
3. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
4. LED 驱动器及背光驱动。
5. 通信基础设施中的电源管理模块。
6. 消费类电子产品中的适配器和充电器设计。
其卓越的电气性能使其特别适合需要高效率、低热损耗的场景。
NTMFS4833N
IRLB8729PBF
FDP16N06L
AO3402A
