时间：2025/5/10 18:48:37
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IPW60R099C6 是一款来自 Infineon（英飞凌）的功率 MOSFET，采用 TRENCHSTOP? 技术制造。该器件属于 OptiMOS 系列，专为高频开关应用而设计，适用于工业和汽车领域。其出色的 RDS(on) 和 Qg 参数使其在高效能转换器、电机驱动和负载切换等应用中表现出色。
IPW60R099C6 的额定电压为 60V，具有低导通电阻和快速开关性能，从而降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压(V_DS)：60V
最大连续漏电流(I_D)：85A
导通电阻(R_DS(on))：9.9mΩ
栅极电荷(Q_g)：37nC
反向恢复时间(t_rr)：40ns
工作结温范围(T_j)：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247-3
IPW60R099C6 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (R_DS(on))，可有效减少传导损耗。
2. 快速开关性能，适合高频应用。
3. 低栅极电荷 (Q_g)，有助于降低驱动损耗。
4. 高雪崩能力，确保在异常条件下具备更高的可靠性。
5. 符合 AEC-Q101 标准，适用于严苛环境下的汽车电子应用。
6. 提供出色的热性能和电气性能，能够适应高功率密度的设计需求。
IPW60R099C6 广泛应用于多种电力电子场景，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器，如降压或升压拓扑。
3. 工业设备中的电机驱动控制。
4. 汽车电子系统，例如电动助力转向 (EPS) 和制动系统。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源解决方案。
6. 各类负载切换和保护电路。
IPB60R099C6, IPP60R099C6
