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IPW60R099C6 发布时间 时间:2025/5/10 18:48:37 查看 阅读:2

IPW60R099C6 是一款来自 Infineon(英飞凌)的功率 MOSFET,采用 TRENCHSTOP? 技术制造。该器件属于 OptiMOS 系列,专为高频开关应用而设计,适用于工业和汽车领域。其出色的 RDS(on) 和 Qg 参数使其在高效能转换器、电机驱动和负载切换等应用中表现出色。
  IPW60R099C6 的额定电压为 60V,具有低导通电阻和快速开关性能,从而降低功耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压(V_DS):60V
  最大连续漏电流(I_D):85A
  导通电阻(R_DS(on)):9.9mΩ
  栅极电荷(Q_g):37nC
  反向恢复时间(t_rr):40ns
  工作结温范围(T_j):-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-247-3

特性

IPW60R099C6 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (R_DS(on)),可有效减少传导损耗。
  2. 快速开关性能,适合高频应用。
  3. 低栅极电荷 (Q_g),有助于降低驱动损耗。
  4. 高雪崩能力,确保在异常条件下具备更高的可靠性。
  5. 符合 AEC-Q101 标准,适用于严苛环境下的汽车电子应用。
  6. 提供出色的热性能和电气性能,能够适应高功率密度的设计需求。

应用

IPW60R099C6 广泛应用于多种电力电子场景,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器,如降压或升压拓扑。
  3. 工业设备中的电机驱动控制。
  4. 汽车电子系统,例如电动助力转向 (EPS) 和制动系统。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源解决方案。
  6. 各类负载切换和保护电路。

替代型号

IPB60R099C6, IPP60R099C6

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IPW60R099C6参数

  • 数据列表IPx60R099C6
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装240
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C37.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C99 毫欧 @ 18.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 1.21mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs119nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2660pF @ 100V
  • 功率 - 最大278W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PG-TO247-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000641908