时间：2025/9/29 15:46:33
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QM30HA-HB是一款高性能、高可靠性的光电耦合器（光耦），广泛应用于工业自动化、电源控制、信号隔离等对电气隔离性能要求较高的场景。该器件由发光二极管（LED）和光敏晶体管组成，通过光信号实现输入与输出之间的电气隔离，从而有效防止噪声干扰、电压尖峰以及地环路问题对系统造成影响。QM30HA-HB采用DIP-6或类似的小外形封装，具有良好的绝缘性能和耐压能力，适用于多种直流和交流信号的隔离传输。该光耦的工作温度范围宽，通常可在-55°C至+110°C之间稳定工作，适合在恶劣工业环境中使用。
作为一款通用型光耦，QM30HA-HB具备较高的电流传输比（CTR），确保在较低的输入电流下仍能实现有效的输出驱动能力。其响应时间较快，能够满足中高速信号隔离的需求。此外，该器件符合多项国际安全标准，如UL、CSA、VDE等，在绝缘耐压、爬电距离和电气间隙方面均达到工业级要求，适用于开关电源、逆变器、PLC模块、电机驱动控制器等设备中的信号隔离与反馈电路。
型号：QM30HA-HB
类型：光电晶体管输出光耦
通道数：1
输入正向电流（IF）：50mA
峰值输入电流：1A
反向电压（VR）：6V
输出耐压（VCEO）：35V
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：300mV @ IC=5mA, IF=5mA
电流传输比（CTR）：50%～600%
上升时间（tr）：3μs
下降时间（tf）：3μs
工作温度范围：-55°C 至 +110°C
存储温度范围：-55°C 至 +125°C
隔离电压（Viso）：5000VRMS
封装形式：DIP-6
绝缘材料：聚酰亚胺
QM30HA-HB的核心优势在于其出色的电气隔离性能和稳定的电流传输比（CTR）。该光耦内部采用高效率的砷化镓（GaAs）红外发光二极管与硅基光敏晶体管组合结构，能够在较宽的输入电流范围内保持良好的线性响应特性。其典型的CTR值在50%到600%之间，意味着即使在输入电流较小的情况下，也能驱动足够的输出电流，从而降低驱动电路的功耗并提高系统的能效。这种高增益特性使其特别适用于低功耗控制系统和需要长寿命稳定运行的工业设备。
该器件具备优异的温度稳定性，在极端高低温环境下仍能维持可靠的CTR性能，避免因环境变化导致信号失真或误动作。同时，QM30HA-HB具有较强的抗电磁干扰（EMI）能力，能够在高噪声工业环境中稳定工作。其内部结构设计优化了光路传输路径，提升了响应速度，典型上升和下降时间均为3微秒，足以应对大多数中速数字信号隔离需求，如PWM信号传输、状态反馈检测等。
安全性方面，QM30HA-HB通过了多项国际安全认证，包括UL1577、CSA Component Acceptance Notice #5等，支持5000VRMS的隔离电压，确保在高压应用中提供充分的安全保障。其封装采用阻燃材料（如UL94V-0等级），并在引脚布局上满足IEC60664规定的爬电距离和电气间隙要求，适用于加强绝缘等级的应用场合。此外，该器件具备良好的防潮性和机械强度，可经受回流焊和波峰焊工艺，适合自动化贴装生产，广泛用于工业控制板、电源模块和通信接口电路中。
QM30HA-HB广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。在开关电源领域，常被用作反馈回路中的隔离元件，将次级侧的电压或电流信号传递至初级侧控制器，实现闭环稳压控制，同时防止高压窜入低压控制部分。在可编程逻辑控制器（PLC）中，它用于输入/输出模块的信号隔离，保护中央处理单元免受现场传感器或执行器带来的电气冲击。
在电机驱动和逆变器系统中，QM30HA-HB可用于隔离控制信号与功率桥臂驱动电路，确保主电路的高压不会影响到微控制器的安全运行。此外，它也常见于工业通信接口，如RS-485、CAN总线等，用于隔离数据收发器与主控芯片，提升系统的抗干扰能力和可靠性。
其他典型应用场景还包括医疗设备中的安全隔离、测试测量仪器中的信号调理电路、智能电表的数据采集隔离，以及太阳能逆变器、UPS不间断电源等电力电子设备中的控制与监测回路。由于其高可靠性与长期稳定性，QM30HA-HB也成为许多工业级产品首选的光耦器件之一。
TLP521-1
PC817X1NIP0F
EL817C
HCPL-2731
