型号：B82789C513N2
　　电容值：51pF
　　容差：±0.5pF
　　额定电压：100V DC
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：C0G（NP0）
　　介质材料：Ceramic (Class I)
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　损耗角正切（tanδ）：≤ 0.001
　　绝缘电阻：≥ 100GΩ
　　耐温系数：0 ±30ppm/°C
　　结构类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　端接类型：镍阻挡层/锡覆盖
　　应用等级：工业级/汽车级可选

B82789C513N2采用C0G（NP0）型陶瓷介质，具备极高的电容稳定性，其电容值随温度、电压和时间的变化极小，确保在各种严苛环境下仍能维持精确的电气性能。该电容器的温度系数为0±30ppm/°C，在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容值几乎不发生漂移，特别适用于需要高精度和高稳定性的谐振电路、振荡器和滤波器设计。此外，由于C0G材料属于Ⅰ类陶瓷，不存在直流偏压导致的容值下降问题，即使在接近额定电压下工作，也能保持标称电容值不变。
　　该器件具有极低的介质损耗（tanδ ≤ 0.001），使其在高频应用场景下能量损耗最小化，提高了系统的整体效率，并减少了发热风险。其高绝缘电阻（≥100GΩ）有效防止漏电流增加，提升了电路的安全性和长期稳定性。B82789C513N2的结构经过优化设计，具备良好的机械强度和抗热冲击能力，能够在快速温度变化或恶劣环境条件下可靠运行，适用于汽车电子中的引擎控制单元或高级驾驶辅助系统（ADAS）等场景。
　　该电容器采用标准0805封装，与现有SMT工艺完全兼容，支持回流焊和波峰焊等多种焊接方式，有利于大规模自动化生产。同时，其端子采用镍锡阻挡层结构，提供优良的可焊性和长期耐腐蚀性，避免因环境湿度或氧化引起的连接失效。产品通过AEC-Q200认证（若用于汽车级版本），满足汽车行业对元器件可靠性的严格要求。综合来看，B82789C513N2是一款集高精度、高稳定性和高可靠性于一体的高频MLCC，适用于对信号完整性要求极高的射频前端模块、精密测量仪器和通信基础设施设备。

B82789C513N2广泛应用于高频和射频电子系统中，典型用途包括移动通信基站的射频滤波电路、天线匹配网络、LC谐振回路以及低相位噪声振荡器设计。其出色的温度稳定性和低损耗特性也使其成为高端无线模块（如Wi-Fi 6E、5G毫米波模块）中关键的旁路和耦合电容。在测试与测量设备中，例如频谱分析仪和信号发生器，该电容器用于保证高频信号路径的准确性与一致性。此外，它还常见于工业自动化控制系统、医疗成像设备的高频子系统以及航空航天电子设备中，承担精密定时和高频去耦任务。由于具备良好的抗老化性能和长期稳定性，该器件也被用于需要长寿命运行的户外通信节点和远程监控装置中。在汽车电子领域，可用于车载信息娱乐系统的射频接收前端、GPS导航模块以及雷达传感器信号调理电路，尤其适用于工作环境温度波动剧烈的应用场合。

GRM21BR71H510KA01L
　　CC0805JRNPO9BN510
　　C2012X5S1H510K
　　CL21A510KBANNNC