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B82476B1682M000 发布时间 时间:2025/12/27 13:02:09 查看 阅读:46

B82476B1682M000是TDK公司生产的一款高性能多层陶瓷电容器(MLCC),专为高频率、高稳定性和低损耗的应用环境设计。该器件属于爱普科斯(EPCOS)产品线,具备优异的电气性能和可靠性,广泛应用于通信设备、工业电子、汽车电子以及消费类电子产品中。该电容器采用标准表面贴装封装,便于自动化生产和回流焊接,适用于现代高密度PCB布局需求。其型号编码遵循EPCOS的命名规范,其中‘B82476’代表产品系列,‘B’表示介质类型为C0G(NP0),‘1682’指示额定电容值为6800pF,‘M’表示公差为±20%,而‘000’通常表示无特殊端接或包装选项。该器件在高频电路中表现出极低的介电损耗和稳定的电容值,适合用于滤波、耦合、旁路和调谐等关键电路环节。由于采用了先进的陶瓷材料和制造工艺,B82476B1682M000在宽温度范围内(-55°C至+125°C)仍能保持出色的电性能,且无老化现象,是替代传统电解电容和钽电容的理想选择。此外,该产品符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色电子制造要求。

参数

型号:B82476B1682M000
  品牌:TDK/EPCOS
  电容值:6800pF (6.8nF)
  容差:±20%
  额定电压:100V DC
  介质材料:C0G (NP0)
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  温度特性:0 ±30ppm/K
  封装尺寸:1210(3225公制)
  端接类型:SMD(表面贴装)
  绝缘电阻:≥10,000MΩ 或 RC ≥ 100s(取较小值)
  耐久性:在额定电压和最高工作温度下连续工作1000小时后,电容变化不超过初始值的±15%
  频率特性:适用于高达数百MHz的高频应用
  ESR(等效串联电阻):极低,典型值在毫欧级别,具体取决于频率和测试条件
  DF(耗散因子):<0.1% @ 1kHz, 1Vrms

特性

B82476B1682M000所采用的C0G(NP0)陶瓷介质赋予了其卓越的电气稳定性与温度不变性。C0G是一种Class I型陶瓷材料,具有几乎线性的温度系数,确保电容器在-55°C到+125°C的整个工作温度范围内电容值变化极小,通常控制在±30ppm/°C以内,这意味着即使在极端温度波动下,其电容值也能保持高度一致,不会因环境变化而影响电路性能。这一特性使其特别适用于对频率稳定性要求极高的振荡器、滤波器和射频匹配网络。
  该器件的另一个显著特点是其极低的介电损耗(DF < 0.1% @ 1kHz),这表明其能量损耗非常小,能够有效提升电路效率并减少发热,尤其适合用于高Q值谐振电路和低噪声模拟前端。同时,由于C0G材料本身不具铁电性,因此不存在电压依赖性(即电容值不随施加电压变化而改变),也无老化效应,使用寿命远超X7R、Y5V等Class II/III介质电容。
  结构上,B82476B1682M000采用多层堆叠工艺,在保证小型化的同时实现可靠的电气连接。其1210(3225)封装尺寸在空间受限的设计中提供了良好的折衷方案——既具备足够的爬电距离以支持100V额定电压,又兼容标准贴片生产设备。此外,该器件具有优异的抗湿性和机械强度,能够在严苛的工业和车载环境中长期稳定运行。其高绝缘电阻(≥10,000MΩ)进一步保障了在高阻抗电路中的信号完整性,避免漏电流引起的性能下降。综合来看,这款电容器是追求高性能、高可靠性的精密电子系统中的理想选择。

应用

B82476B1682M000因其出色的温度稳定性、低损耗和高可靠性,被广泛应用于多个高端电子领域。在射频(RF)和无线通信系统中,它常用于LC滤波器、阻抗匹配网络、天线调谐电路以及压控振荡器(VCO)中,作为关键的频率设定元件,确保信号传输的准确性和稳定性。由于其电容值不受温度和电压影响,能够维持系统在整个工作环境下的性能一致性,因此在基站、Wi-Fi模块、蓝牙设备和物联网(IoT)无线节点中尤为常见。
  在工业控制与自动化设备中,该电容器可用于精密传感器信号调理电路、ADC/DAC参考电压旁路、以及高速数据采集系统的去耦和滤波,帮助抑制高频噪声干扰,提高测量精度。其100V额定电压也使其适用于部分中高压电源监控电路或隔离式接口中。
  在汽车电子方面,该器件满足AEC-Q200认证要求(需确认具体批次是否通过),可应用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块、车身控制单元和电动助力转向系统中的模拟前端和电源管理部分。其宽温特性和抗振动能力确保在剧烈温度变化和复杂电磁环境下依然可靠工作。
  此外,在医疗电子、测试测量仪器(如示波器、频谱仪)和高保真音频设备中,B82476B1682M000也被用于关键信号路径中,以保证信号的纯净度和系统的长期稳定性。总之,凡是对电容稳定性、噪声抑制和长期可靠性有严苛要求的应用场景,都是该器件的理想用武之地。

替代型号

C1210C682MBRACTU
  GRM32MR71H682KA12D
  CL31A682KBHNNNE
  ECJ-3YB1H682M

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B82476B1682M000参数

  • 制造商EPCOS
  • 电感6.8 uH
  • 容差20 %
  • 最大直流电流4.6 Amps
  • 最大直流电阻0.021 Ohms
  • 尺寸9.4 mm W x 12.95 mm L x 5.08 mm H
  • 端接类型SMD/SMT
  • 产品SMD Power Inductors