HYUF6806A-D70I 是一款由 HanYANG(韩扬)公司生产的高性能、低功耗的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)驱动器IC,专为高效能电源转换系统设计。该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造,具备较强的驱动能力和较高的工作频率,适用于各类 DC-DC 转换器、电机驱动、开关电源(SMPS)和同步整流电路等应用。HYUF6806A-D70I 支持高侧和低侧驱动功能,采用半桥结构,能够驱动 N 沟道 MOSFET,具有出色的抗干扰能力和热稳定性。
类型:MOSFET驱动器
拓扑结构:半桥式(High-Side & Low-Side)
驱动能力:高侧/低侧输出驱动电流(峰值)可达 0.5A / 0.5A
工作电压范围:10V 至 20V
输入信号电压兼容:3.3V、5V 和 15V
工作频率:高达 500kHz
封装形式:SOP-8
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
输出电压范围:10V 至 20V
欠压锁定保护(UVLO):有
输入信号延迟时间:典型值 10ns
输出上升/下降时间:典型值 8ns / 8ns
HYUF6806A-D70I 是一款高度集成的 MOSFET 驱动器,具备出色的驱动能力和稳定性,适用于高频率开关应用。其内置的高侧和低侧驱动器采用自举技术,能够有效驱动高压侧 N 沟道 MOSFET,同时提供精确的时序控制,避免上下桥臂直通现象。该芯片的输入端兼容多种逻辑电平(如 3.3V、5V 和 15V),便于与各种控制器或微处理器接口连接。此外,HYUF6806A-D70I 集成了欠压锁定保护(UVLO)功能,当供电电压低于设定阈值时,自动关闭输出以防止 MOSFET 发生非正常导通,从而提升系统可靠性。
该芯片具有极低的传播延迟(Typ. 10ns),确保了高频率操作下的精确控制。其输出上升和下降时间也非常短(Typ. 8ns/8ns),有助于减少开关损耗并提高转换效率。HYUF6806A-D70I 还具备较强的抗干扰能力,能够在恶劣的电磁环境下稳定工作。此外,芯片内部设计有热关断保护机制,当芯片温度过高时,自动关闭输出以防止损坏。
该器件采用 SOP-8 封装,具有良好的散热性能和紧凑的尺寸,适用于高密度 PCB 布局。由于其优异的性能和可靠性,HYUF6806A-D70I 被广泛应用于各种高性能电源系统中,如高频 DC-DC 转换器、服务器电源、电机驱动器、同步整流器以及工业自动化设备。
HYUF6806A-D70I 主要用于需要高效驱动 N 沟道 MOSFET 的电源转换系统。典型应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、半桥式或全桥式开关电源、电机驱动控制电路、LED 照明驱动器、服务器电源模块以及高频谐振变换器等。在这些应用中,HYUF6806A-D70I 能够提供高效的驱动能力,确保功率 MOSFET 快速、稳定地导通与关断,从而提升整体系统的效率和稳定性。此外,该芯片也适用于工业自动化设备、通信电源和新能源设备中的功率管理电路。
IR2110, HIP4080, LM5101, UCC27524, HYUF6806A-D70I 可以作为替代型号。