EG7545-SM 时间：2025/8/15 20:22:43 阅读：21

EG7545-SM 是一款由 Efficient Power Conversion（简称 EPC）公司生产的增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（eGaN FET），适用于高效率、高频的电源转换应用。该器件采用了先进的氮化镓技术，具备低导通电阻、优异的开关性能和较小的封装尺寸，使其成为DC-DC转换器、同步整流器、负载点电源（POL）和无线充电系统等应用的理想选择。EG7545-SM 采用表面贴装（Surface Mount）封装，便于自动化生产并提高系统集成度。

参数

类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大连续漏极电流（ID）：35A
　　导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ
　　栅极电荷（QG）：10nC
　　输出电容（COSS）：210pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：BGA，8引脚

特性

EG7545-SM 拥有出色的电气特性和热性能，适用于高频开关和高功率密度设计。
　　首先，该器件的导通电阻仅为 8.5mΩ，这大幅降低了导通损耗，从而提高了整体转换效率。同时，其低栅极电荷（QG = 10nC）和输出电容（COSS = 210pF）显著减少了开关损耗，使该器件在高频应用中表现尤为优异。
　　其次，EG7545-SM 采用先进的氮化镓材料和制造工艺，具备良好的热稳定性与散热能力。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，适应多种严苛环境条件。
　　此外，该器件采用表面贴装封装形式，具有较小的封装尺寸和低寄生电感，有助于实现更紧凑的PCB布局，并减少高频应用中的电磁干扰（EMI）。
　　EG7545-SM 还具备良好的抗短路能力和较高的可靠性，适合用于需要高稳定性的工业和通信电源系统中。

应用

EG7545-SM 主要应用于需要高效率和高频操作的电力电子系统中。常见的应用场景包括：
　　1. 高频DC-DC转换器：由于其低导通电阻和低开关损耗，该器件适用于升压、降压以及隔离式DC-DC转换器，特别是在48V转换系统中表现出色。
　　2. 同步整流器：在反激式或正激式变换器中作为同步整流开关，替代传统硅MOSFET，以提升效率和降低温升。
　　3. 负载点电源（POL）：为服务器、通信设备和FPGA等提供高效的局部电源解决方案。
　　4. 无线充电系统：适用于高频谐振变换器，提升无线充电效率和功率密度。
　　5. 电机驱动和D类音频放大器：由于其快速开关能力和低损耗特性，EG7545-SM 也适用于高精度控制和音频放大应用。