型号：B82472G6223M
　　制造商：TDK
　　品牌：EPCOS
　　电容值：22 nF
　　容差：±20%
　　额定电压：100 V DC
　　介电材质：NPO（C0G）
　　封装尺寸：0603（1608 公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0 ±30 ppm/K
　　绝缘电阻：≥100 GΩ·μF
　　最大耗散因子（DF）：≤0.15%
　　等效串联电阻（ESR）：典型值 < 10 mΩ（在 1 GHz 下）
　　等效串联电感（ESL）：典型值约 0.4 nH
　　产品系列：RF-HP
　　应用等级：工业级/汽车级可选

B82472G6223M 采用先进的多层陶瓷制造工艺，选用 NPO（C0G）型陶瓷介质，这是一种具有极佳稳定性的 Class I 陶瓷材料，能够在宽温度范围和不同工作频率下维持电容值的高度一致性。其温度系数仅为 0 ±30 ppm/K，意味着在 -55°C 到 +125°C 的整个工作温度区间内，电容值的变化几乎可以忽略不计，远优于 X7R、Y5V 等 Class II 材料。这种稳定性对于高频振荡器、LC 滤波器、匹配网络等对电容精度敏感的应用至关重要。该器件在高频下的 Q 值极高（在 100 MHz 下 Q > 1000），表明其能量损耗极低，非常适合用于高选择性滤波电路和低噪声放大器前端。
　　为了优化高频性能，B82472G6223M 在内部电极结构设计上进行了特殊处理，采用对称端接和低 ESL 构造技术，有效减少了寄生电感和电磁干扰效应。这使得它在 GHz 频段仍能保持接近理想电容器的行为，避免因自谐振频率过早到来而导致性能下降。其典型的 ESL 值约为 0.4 nH，ESR 小于 10 mΩ，在 1 GHz 下依然具备优良的阻抗特性，因此常被用作射频功率放大器的旁路电容或天线前端的耦合元件。
　　此外，该器件符合 RoHS 和 REACH 环保标准，支持无铅焊接工艺，并经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环和耐久性试验，确保长期运行的稳定性。其机械结构也增强了抗板弯和热冲击能力，适合部署在振动频繁或温差剧烈的环境中。由于其小尺寸与高性能的结合，B82472G6223M 成为现代紧凑型高频模块中不可或缺的关键元件。

B82472G6223M 主要面向高频和射频电子系统，广泛应用于无线通信基础设施中，如蜂窝基站、小型蜂窝（Small Cell）设备和毫米波回传链路，作为射频信号路径中的直流阻断、交流耦合和阻抗匹配元件。在雷达系统和卫星通信设备中，该电容器用于构建高性能 LC 滤波器和带通滤波网络，凭借其稳定的电容值和低损耗特性，有助于提升系统的信噪比和频率选择性。在测试与测量仪器领域，例如矢量网络分析仪（VNA）和频谱仪前端电路中，B82472G6223M 可用于精密信号调理和高频去耦，保障测量精度。
　　在消费类高端电子产品中，尤其是在支持 Wi-Fi 6E、5G mmWave 和 UWB（超宽带）技术的智能手机和平板电脑中，该器件被集成于天线开关模块（ASM）和射频前端模块（FEM）中，实现高效的射频能量传输和噪声抑制。此外，在汽车高级驾驶辅助系统（ADAS）中的 77 GHz 毫米波雷达模块里，B82472G6223M 因其卓越的高频稳定性和可靠性而被优先选用，用于本地振荡器（LO）路径和混频器输入端的滤波与旁路。
　　在高速数字电路设计中，尽管主要去耦任务由大容量 MLCC 承担，但 B82472G6223M 凭借其极低的 ESL 和 ESR，可用于 GHz 级时钟信号附近的局部高频去耦，消除高频噪声尖峰，提高电源完整性（PI）。同时，它也被用于医疗成像设备、工业传感器和航空航天电子系统中需要长期稳定运行的模拟信号链路中。

GRM188R71H223KA01D
　　CC0603JRNPO9BN220
　　C1608X7R1H223K