B82472G4103M 时间：2025/12/27 12:01:12 阅读：13

B82472G4103M是TDK公司生产的一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），广泛应用于各类电子设备中，特别是在需要高稳定性和高可靠性的电源管理、射频电路以及信号耦合等场景中表现出色。该器件属于爱普科斯（EPCOS）品牌产品线，具有优良的电气性能和机械稳定性，适用于自动化贴装工艺，符合现代电子产品小型化、高密度组装的趋势。B82472G4103M采用X7R介电材料，具备良好的温度稳定性，在-55°C至+125°C的宽温度范围内电容值变化不超过±15%，适合在恶劣环境条件下使用。其标称电容为10nF（即10000pF），额定电压为100V DC，体积尺寸为0805（英制），即2.0mm x 1.25mm x 1.25mm，属于表面贴装器件（SMD），便于在高密度PCB上进行布局。
　　该电容器采用贵金属电极（NME）结构，具有较强的抗湿性和耐热冲击能力，能够在回流焊过程中承受高温而不损坏内部结构。此外，B82472G4103M符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，满足环保标准。由于其优异的频率响应特性和低等效串联电阻（ESR），该器件常用于去耦、旁路、滤波和定时电路中，尤其在工业控制、汽车电子、通信设备和消费类电子产品中应用广泛。

参数

型号：B82472G4103M
　　品牌：TDK/EPCOS
　　电容值：10nF (10000pF)
　　容差：±20%
　　额定电压：100V DC
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15%
　　封装尺寸：0805（2.0 x 1.25 x 1.25 mm）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　电极结构：贵金属电极（NME）
　　产品系列：B82472G
　　符合标准：RoHS合规，AEC-Q200（适用于部分批次）

特性

B82472G4103M采用先进的多层陶瓷制造工艺，确保了器件在高频和高压条件下的稳定运行。其X7R介电材料具有优异的温度稳定性，能够在-55°C到+125°C的宽温度区间内保持电容值的变化在±15%以内，这使得它非常适合用于对温度敏感的应用场合，如汽车电子系统或工业控制器。相比其他介电类型如Y5V，X7R材料在温度变化时的电容漂移更小，从而提高了电路的整体稳定性。
　　该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），因此在高频去耦和噪声滤波应用中表现优异。例如，在数字IC的电源引脚附近用作旁路电容时，能够有效抑制电压波动和高频干扰，提升系统抗干扰能力。同时，由于其快速的响应速度和良好的频率响应特性，B82472G4103M也适用于中频信号耦合和交流通路设计。
　　机械结构方面，该器件采用坚固的陶瓷体与端电极一体化设计，端头经过多层金属化处理（镍阻挡层+锡镀层），增强了焊接可靠性和耐腐蚀性。这种结构不仅提升了器件在热循环应力下的耐久性，还保证了在自动贴片过程中的良好共面性，减少立碑、偏移等贴装缺陷的发生率。
　　此外，B82472G4103M通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压测试（H3TRB）、温度循环测试（TCT）和耐焊接热测试，确保在严苛环境下长期工作的稳定性。对于需要高可靠性的应用场景，如车载电子、医疗设备或工业自动化系统，该器件提供了坚实的保障。其符合AEC-Q200标准的部分型号可用于汽车级应用，进一步拓展了其市场适用范围。

应用

B82472G4103M广泛应用于多个电子领域，尤其在需要高稳定性和高可靠性的电路中发挥重要作用。在电源管理系统中，该电容器常被用作输入/输出滤波电容或DC-DC转换器的去耦元件，能够有效平滑电压纹波并抑制瞬态电流引起的噪声。由于其100V的额定电压等级，适用于中低压电源轨（如12V、24V或48V系统）的滤波设计。
　　在工业控制设备中，如PLC模块、传感器接口和电机驱动器，B82472G4103M用于信号耦合、噪声抑制和电源旁路，提升系统的抗电磁干扰能力。其宽温特性和高耐压能力使其能在工厂环境中稳定运行。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、信息娱乐系统、ADAS传感器供电单元等部位，支持发动机舱内外的不同工作环境。配合AEC-Q200认证型号，可满足车规级产品的可靠性要求。
　　通信设备如路由器、交换机和基站模块中，B82472G4103M用于高频旁路和阻抗匹配网络，有助于提高信号完整性。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居设备中，它也被广泛用于音频路径耦合、摄像头模组滤波和无线模块去耦等场景。