B82432A1392K 时间：2025/12/27 12:22:36 阅读：24

B82432A1392K 是由 TDK 公司生产的一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于爱普科斯（EPCOS）产品系列，专为高频率和高可靠性应用而设计。它采用标准的表面贴装技术（SMT），适用于自动化贴片工艺，广泛应用于通信设备、工业电子、汽车电子以及消费类电子产品中。这款电容器具有稳定的电气性能、低等效串联电阻（ESR）和优良的温度特性，能够在较宽的温度范围内保持电容值的稳定性。其额定电容为3.9nF（即3900pF），公差为±10%，属于X7R温度特性类别，意味着其电容值在-55°C至+125°C的工作温度范围内变化不超过±15%。此外，该器件的额定电压为50V DC，适合用于中高压直流电路中的滤波、耦合、去耦和旁路等场合。
　　B82432A1392K 采用紧凑的贴片封装尺寸，通常为0805（英制编码，即2012公制代码），在有限的空间内提供可靠的电容支持。由于其材料体系基于Class II介电质（X7R），因此在非线性要求不高的应用场景中表现出良好的性价比。该元件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗湿性和长期稳定性，适合回流焊工艺，可在严苛环境下稳定运行。作为TDK-EPCOS产品线的一部分，B82432A1392K 经过严格的质量控制流程，确保批次一致性和高可靠性，是现代高频电路设计中常用的被动元件之一。

参数

型号：B82432A1392K
　　制造商：TDK
　　产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：3.9nF (3900pF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R (-55°C 至 +125°C, ΔC/C ≤ ±15%)
　　封装/尺寸：0805 (2012 公制)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　介质材料：Class II, X7R
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　产品等级：工业级
　　RoHS合规：是

特性

B82432A1392K 采用先进的多层叠膜制造工艺，内部由多个交替排列的陶瓷介质与金属电极构成，显著提升了单位体积下的电容密度，同时保持较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而使其在高频应用中表现出优异的阻抗特性。其X7R介电材料具有良好的温度稳定性和老化特性，在整个工作温度范围内电容值的变化控制在±15%以内，适合对电容稳定性有一定要求但无需使用C0G/NP0等超稳定介质的应用场景。该器件的50V额定电压使其能够胜任电源轨去耦、DC-DC转换器输出滤波、信号耦合等中压电路任务。
　　该电容器具备出色的机械强度和热循环耐受能力，能够在多次回流焊过程中保持结构完整性，不会因热应力导致裂纹或性能下降。其端电极采用镍阻挡层加锡外涂层（Ni/Sn电极），增强了可焊性和抗氧化能力，确保长期可靠焊接连接。此外，B82432A1392K 符合IEC 60384-8/21等国际标准，经过严格的寿命测试和环境适应性验证，适用于工业自动化、汽车电子（非引擎舱）、电信基础设施等领域。
　　在电磁兼容性（EMC）设计方面，该器件可用于噪声抑制和电源平整，尤其适用于开关电源系统中的输入输出滤波环节。其低ESR特性有助于减少功率损耗并提高系统效率。尽管X7R材料存在一定的电压依赖性（即施加直流偏压时电容值会有所下降），但在大多数非精密模拟电路和数字电源去耦应用中仍能提供足够的性能保障。整体而言，B82432A1392K 是一款兼顾性能、尺寸与成本的通用型MLCC，适用于大批量生产的电子设备。

应用

B82432A1392K 广泛应用于多种电子系统中，主要用途包括但不限于：电源管理电路中的去耦与旁路，特别是在DC-DC变换器、LDO稳压器的输入输出端，用于平滑电压波动和抑制高频噪声；在模拟和数字混合信号系统中，作为信号路径的交流耦合电容，实现级间隔离直流分量；在射频（RF）和无线通信模块中，用于匹配网络、滤波器和偏置电路中，提供稳定的电容支持；在工业控制设备如PLC、传感器接口电路中，承担噪声滤波和瞬态保护功能；在汽车电子单元（如信息娱乐系统、车身控制模块）中，满足AEC-Q200标准相关要求的部分应用场景（需确认具体批次是否通过认证）；此外，也常见于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备的主板上，用于高速处理器周围的电源去耦网络。
　　由于其具备较高的工作温度上限（+125°C），该器件也可用于环境温度较高的工业或户外设备中。在自动化生产线中，其标准0805封装易于被贴片机识别和装配，提高了生产效率和良率。同时，因其具备良好的高频响应特性，常被选用于高速数字电路中，以降低电源阻抗并提升系统稳定性。总之，B82432A1392K 凭借其稳定的性能、广泛的适用性和成熟的供应链，成为众多电子工程师在电路设计中的常用选择。