品牌：Micron
　　型号：MX35UF4GE4AD
　　类型：NAND Flash
　　容量：4GB
　　封装：48-TSOP
　　电压范围：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取速度：最大50MB/s
　　写入速度：最大20MB/s
　　擦除速度：最大3ms
　　接口类型：Parallel NAND
　　页面大小：2KB
　　块大小：128KB
　　ECC要求：需要8位或更高ECC

MX35UF4GE4AD具有多项卓越特性，使其成为许多高端应用的理想选择。
　　首先，该芯片提供了4GB的存储容量，能够满足需要大量数据存储的应用需求。其2KB页面大小和128KB块大小设计，有助于提高数据读写效率。
　　其次，MX35UF4GE4AD支持2.3V至3.6V的宽电压范围，确保了在不同电源环境下的稳定运行。同时，其-40°C至+85°C的工作温度范围，使其能够在极端温度条件下正常工作，适用于工业级应用。

MX35UF4GE4AD广泛应用于需要高可靠性和大容量存储的设备中。例如，在工业控制设备中，它用于存储程序和关键数据，确保设备在复杂环境中稳定运行。
　　在消费电子产品中，该芯片常用于便携式存储设备、数字相机和多媒体播放器等设备中，为用户提供大容量存储空间和快速的数据访问能力。
　　此外，MX35UF4GE4AD也适用于车载电子系统，如车载导航和信息娱乐系统，满足车载环境对稳定性和可靠性的高要求。

TC58NVG2S0F,TOShiba; MT29F4G08ABBDA2D, Micron; KMNX10012M_B211, Samsung