B78476A8135 时间：2025/12/25 14:36:03 阅读：13

B78476A8135是TDK公司生产的一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），主要用于射频（RF）和高频电路中的匹配、耦合、旁路和滤波等应用。该器件属于爱普科斯（EPCOS）产品系列，具备出色的高频特性和稳定性，适用于对电性能要求严苛的通信设备和工业电子系统。B78476A8135采用先进的陶瓷材料与制造工艺，确保在宽频率范围内保持低损耗和高Q值，是高频模拟电路中理想的无源元件选择。该电容器符合RoHS指令，支持无铅焊接工艺，适用于现代自动化贴片生产线。其小型化封装设计有助于节省PCB空间，提升系统集成度，广泛应用于无线基础设施、射频识别（RFID）、微波模块以及测试测量仪器等领域。
　　

参数

品牌：TDK/EPCOS
　　型号：B78476A8135
　　电容值：13pF
　　容差：±0.1pF
　　额定电压：50V DC
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：C0G（NP0）
　　封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　介质材料：陶瓷（C0G/NP0）
　　绝缘电阻：≥100GΩ
　　时间常数：≥10000h
　　自谐振频率（SRF）：典型值约3.8GHz
　　ESR：极低（在高频下仍保持稳定）
　　Q值：≥1000 @ 1MHz

特性

B78476A8135具有卓越的电气稳定性，其核心优势在于采用C0G（也称NP0）类型的陶瓷介质材料，这种材料在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）几乎不产生电容值漂移，温度系数为0±30ppm/°C，保证了在极端环境下的精准性能。该电容器的容差控制极为严格，达到±0.1pF，使其特别适合用于高精度射频匹配网络和振荡器电路中，能够有效减少因元件偏差导致的信号失配问题。此外，C0G介质还具备极低的介电损耗（Dissipation Factor < 0.1%），从而实现非常高的Q值（≥1000 @ 1MHz），显著降低能量损耗，提升电路效率。
　　该器件的小型化0402封装（1.0mm × 0.5mm）不仅满足现代电子产品对高密度布局的需求，而且通过优化内部电极结构设计，有效降低了寄生电感，提升了自谐振频率（SRF典型值约为3.8GHz）。这意味着B78476A8135可在高达数GHz的高频条件下仍保持良好的电容行为，避免因接近或超过SRF而导致的感性响应问题，非常适合用于GHz级射频前端模块、功率放大器偏置电路、天线调谐单元等场景。
　　由于其优异的长期可靠性与抗老化性能，B78476A8135在经历多次热循环和长时间运行后仍能维持初始电性能不变。同时，该器件具备良好的耐湿性和机械强度，能够在恶劣环境下稳定工作。它符合AEC-Q200标准的部分要求，适用于高可靠性应用场景。此外，该电容支持回流焊工艺，兼容SAC305等无铅焊料，适合自动化贴装生产线，有助于提高制造良率和一致性。

应用

B78476A8135广泛应用于对高频性能和稳定性要求极高的电子系统中。在无线通信领域，它常用于基站射频模块、毫米波前端电路、Wi-Fi 6/6E和5G射频收发器中的阻抗匹配网络，确保信号传输的最大功率传递与最小反射。由于其超高的Q值和极低的介质损耗，该电容器也适用于高性能LC振荡器电路，如压控振荡器（VCO）和锁相环（PLL）中的调谐支路，有助于提升频率稳定性和相位噪声性能。
　　在测试与测量设备中，例如矢量网络分析仪（VNA）、频谱仪和高频探头，B78476A8135被用作精密补偿电容或滤波元件，以保障测量精度。其稳定的电容值不受温度、电压和时间影响，使得仪器在校准后可长期保持准确读数。此外，在雷达系统、卫星通信终端和航空航天电子设备中，该器件因其高可靠性和宽温工作能力而受到青睐。
　　在消费类高端电子产品中，如智能手机的射频前端模组、UWB（超宽带）定位系统和蓝牙5.0以上版本的射频链路中，B78476A8135可用于旁路电容或耦合电容，有效抑制高频噪声并提升信号完整性。工业物联网（IIoT）传感器节点、RFID读写器和无线传感网络中的射频接口电路也普遍采用此类高稳定性MLCC来优化系统性能。总之，凡是需要在GHz频段内实现精确电容控制和低损耗传输的应用，B78476A8135都是一个理想的选择。