HY5S5B2CLFP-6E-C 是一款由Hynix(现为SK Hynix)公司生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片设计用于高性能计算系统、服务器、网络设备和其他需要高速内存处理的应用。HY5S5B2CLFP-6E-C采用先进的DRAM技术,提供高速数据存取能力,适用于对系统性能有高要求的环境。该芯片采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,具有良好的电气性能和散热特性。
容量:256MB / 512MB / 1GB
数据总线宽度:16位或32位
电源电压:1.8V
最大工作频率:166MHz
访问时间:5.4ns
封装类型:FBGA
引脚数:54pin
工作温度范围:0°C至+85°C
时钟频率:166MHz
HY5S5B2CLFP-6E-C具备低电压操作特性,工作电压为1.8V,这有助于降低整体功耗,提高系统能效,适用于便携式设备和高性能计算平台。其高速访问时间(5.4ns)和最大工作频率达到166MHz,使得该芯片在需要快速数据存取的环境中表现出色。
该DRAM芯片采用FBGA封装技术,具有较小的封装尺寸和更佳的热管理能力,适用于高密度PCB布局。其54pin的引脚配置提供了稳定的电气连接,并减少了信号干扰。
此外,HY5S5B2CLFP-6E-C支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)模式,能够在不丢失数据的情况下降低功耗,适用于需要长时间运行的应用场景,如服务器和网络设备。
这款DRAM芯片还具有良好的兼容性,能够与多种主控芯片和处理器配合使用,适用于各种嵌入式系统和计算机主板。
HY5S5B2CLFP-6E-C主要应用于需要高速内存支持的电子系统,包括但不限于:
1. 高性能嵌入式系统:如工业控制、自动化设备和智能终端。
2. 网络与通信设备:例如路由器、交换机和基站设备,用于缓存和数据处理。
3. 数字视频与图像处理系统:如安防监控设备、多媒体播放器和数字电视。
4. 存储扩展模块:可用于便携式设备和嵌入式系统的内存扩展模块中。
5. 工业级控制系统:用于工厂自动化、智能仪表和机器人控制系统中。
MT48LC16M2A2B4-6A、K4S561632E-F75、IS42S16400F-6T、EM68A160TS-6G