B7730 时间：2025/12/27 11:53:17 阅读：62

B7730是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效能功率管理的电子系统中。该器件采用先进的沟槽栅极和双扩散技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度以及良好的热稳定性，适合在高频率和高效率要求的应用场景中使用。B7730封装形式为小型表面贴装型，如SOP-8或类似的小外形封装，有助于节省PCB空间并提高组装密度。其设计目标是实现更低的功耗和更高的系统效率，特别适用于便携式设备、电池供电系统以及工业控制设备等对能效和散热有较高要求的场合。此外，B7730具备优良的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定工作，提升了系统的可靠性。由于其优异的电气性能和坚固的结构设计，B7730已成为许多现代电源管理系统中的关键组件之一。

参数

型号：B7730
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：12A（@TC=70°C）
　　脉冲漏极电流IDM：48A
　　导通电阻RDS(on)：5.3mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：6.8mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容Ciss：1300pF（@VDS=15V）
　　输出电容Coss：470pF（@VDS=15V）
　　反向传输电容Crss：90pF（@VDS=15V）
　　栅极电荷Qg：25nC（@VGS=10V）
　　体二极管正向电压VSD：1.2V
　　最大功耗Pd：2.5W（@TA=25°C）
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

B7730 N沟道MOSFET具备多项高性能特性，使其在众多功率开关应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻RDS(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其是在大电流条件下，能够有效提升整体系统效率。在VGS=10V时，RDS(on)仅为5.3mΩ，而在4.5V驱动电压下也能维持6.8mΩ的低阻值，表明该器件不仅适用于标准10V驱动电路，还能在低压逻辑电平（如5V或3.3V）控制系统中可靠工作，增强了设计灵活性。
　　其次，B7730采用了优化的沟道设计和先进的制造工艺，实现了快速的开关响应时间，减少了开关过程中的能量损耗，从而支持高频操作。这对于现代开关电源和同步整流电路尤为重要，有助于减小外部滤波元件的尺寸，进而缩小整个电源模块的体积。同时，较低的栅极电荷（Qg=25nC）意味着驱动电路所需的驱动功率更少，进一步提升了能效，并减轻了驱动IC的负担。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性和较高的安全工作区（SOA），可在较宽的温度范围内稳定运行，结温最高可达+150°C，确保在高温环境下仍能保持可靠性能。内置的体二极管具有较低的正向压降（VSD=1.2V），在反向电流路径中提供高效的续流通道，尤其在H桥和DC-DC变换器中发挥重要作用。
　　B7730还具备较强的抗雪崩能力和抗静电能力，能够在突发的电压尖峰或负载突变情况下保持稳健运行，减少因瞬态过压导致的器件损坏风险。其SOP-8封装不仅便于自动化贴片生产，而且通过优化引脚布局和内部连接结构，有效降低了寄生电感和电阻，提高了高频工作的稳定性。综合这些特性，B7730是一款兼顾高性能、高可靠性和紧凑设计的理想功率MOSFET器件。

应用

B7730广泛应用于多种中低电压功率转换与控制场景。常见用途包括但不限于：开关模式电源（SMPS）、同步降压/升压转换器、DC-DC变换器模块、电池管理系统（BMS）、电动工具电源控制、LED驱动电源、便携式消费类电子产品（如笔记本电脑、平板电脑、移动电源）中的电源管理单元，以及各类工业控制设备中的电机驱动电路。由于其低RDS(on)和高电流承载能力，它也常被用作负载开关或热插拔电路中的主控开关元件，以实现对电源路径的高效通断控制。此外，在汽车电子系统中，B7730可用于车身控制模块、车载充电器或辅助电源系统，满足车规级应用对效率和可靠性的严苛要求。其小型化封装使其特别适合空间受限的设计环境，同时仍能提供足够的散热性能以应对持续负载需求。因此，无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子领域，B7730都展现出了强大的适应性和实用性。