SSF2816E 时间：2025/8/14 0:04:29 阅读：14

SSF2816E 是一款由 Silan（士兰微电子）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高可靠性和优异的热性能。SSF2816E 属于N沟道增强型MOSFET，适用于各种中高功率应用场景，如DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统和负载开关等。该器件采用TO-252（DPAK）封装形式，便于散热和安装，适合在中等功率应用中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：160A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值5.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　最大功耗(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

SSF2816E 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有极低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流条件下能够保持较低的传导损耗，提高系统效率。其最大漏极电流可达160A，在高温环境下仍能保持良好的稳定性，适用于高功率密度设计。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽广，支持常见的10V至15V驱动电压，具有良好的开关性能和抗过载能力。
　　SSF2816E 采用了先进的平面工艺和优化的芯片设计，确保了器件在高频开关应用中的稳定性和可靠性。其TO-252封装提供了良好的热管理性能，有助于快速散热，延长器件使用寿命。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在极端工况下提供额外的安全保障。
　　在应用中，SSF2816E 表现出优异的动态响应能力和低门极电荷特性，适合用于高效率的开关电源、同步整流、电机控制和电池保护电路等场景。其高可靠性和耐用性使其成为工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的理想选择。

应用

SSF2816E 主要用于需要高电流和低导通损耗的功率电子系统中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源负载开关以及各类高功率电源模块。由于其高可靠性和良好的热性能，该器件也适用于工业自动化设备、电动车控制器、储能系统和高功率LED驱动电路等对性能要求较高的场合。