B50612DB1KMLG P21 是由TDK公司生产的一款共模电感(Common Mode Choke),主要用于信号线路中的电磁干扰(EMI)抑制。该器件属于爱普科斯(EPCOS)产品系列,专为高速差分信号接口设计,适用于需要高信号完整性和强抗干扰能力的应用场景。该共模电感采用表面贴装(SMD)封装,具有小型化、低损耗和高可靠性等特点,广泛应用于通信设备、消费类电子产品和工业控制系统中。
B50612DB1KMLG P21 的设计目标是有效滤除共模噪声,同时对差分信号的插入损耗保持在较低水平,从而确保高速数据传输的稳定性。其工作频率范围宽,能够在多种信号标准下提供良好的滤波性能。该器件符合RoHS环保标准,无铅且符合现代电子制造的绿色要求。此外,其结构设计具备良好的热稳定性和机械强度,适合自动化贴片生产工艺,提高了大规模生产的效率与一致性。
产品类型:共模电感(扼流圈)
电路数:2
额定电流:150 mA
直流电阻(DCR):最大 2.4 Ω
阻抗(典型值):1000 Ω @ 100 MHz
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
安装方式:表面贴装(SMD)
封装尺寸:0603(公制 1608)
高度:约 1.0 mm
电感值(共模):约 77 μH @ 100 kHz
谐振频率:典型值大于 200 MHz
绝缘电压:500 V AC(rms)
磁芯材料:铁氧体
屏蔽类型:非屏蔽型
端接方式:镍/锡镀层
B50612DB1KMLG P21 共模电感的核心特性之一是其在高频下的优异共模噪声抑制能力。该器件在100 MHz时呈现出高达1000 Ω的阻抗,能够有效衰减高频共模干扰信号,防止其在系统内部传播或通过电缆辐射出去。这对于满足电磁兼容性(EMC)法规要求至关重要,尤其是在USB、HDMI、以太网等高速接口中,外部干扰可能严重影响信号质量。其高阻抗特性源于优化设计的绕组结构和高性能铁氧体磁芯材料,能够在宽频范围内维持稳定的滤波效果。
另一个关键特性是其对差分信号的低插入损耗。在高速数据传输中,如USB 2.0或某些LVDS接口,信号完整性至关重要。B50612DB1KMLG P21 在设计上确保了差分通路的电感量极小,从而最大限度地减少对有用信号的衰减和失真。这种平衡设计使得它既能有效抑制噪声,又不会影响正常的数据传输速率和眼图质量。此外,其低直流电阻(最大2.4 Ω)有助于降低功耗并减少发热,提高系统的长期运行稳定性。
该器件采用0603小型封装(1608公制),非常适合空间受限的便携式设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。尽管体积小巧,但其结构设计仍能承受一定的机械应力和热循环,确保在复杂环境下的可靠性。其表面贴装形式便于自动化生产,支持回流焊工艺,提升了制造效率。此外,该元件具备500 V AC的绝缘耐压能力,提供了基本的电气隔离保护,增强了系统的安全性。整体而言,B50612DB1KMLG P21 是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的高性能EMI滤波元件。
B50612DB1KMLG P21 主要应用于需要抑制高频共模噪声的高速差分信号线路中。一个典型的应用场景是USB接口的EMI滤波,特别是在USB 2.0 Full-Speed 和 High-Speed 模式下,用于减少从数据线辐射出的电磁干扰,帮助终端产品通过FCC、CE等电磁兼容认证。在这些应用中,该共模电感被串联在D+和D-信号线上,有效阻止共模电流的流通,同时不影响差分信号的正常传输。
此外,该器件也适用于其他类型的差分信号接口,如HDMI、DisplayPort、LVDS(低压差分信号)以及工业通信总线等。在高清视频传输系统中,任何引入的噪声都可能导致图像闪烁或色彩失真,因此使用高性能共模电感进行前端滤波非常关键。B50612DB1KMLG P21 凭借其高阻抗特性和小尺寸优势,成为这类应用的理想选择。
在便携式消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和数码相机,空间布局极为紧凑,对元器件的小型化要求极高。B50612DB1KMLG P21 的0603封装使其能够在不占用过多PCB面积的前提下实现有效的EMI抑制。同时,在工业控制和汽车电子领域,面对复杂的电磁环境,该器件也能提供可靠的噪声滤波功能,提升系统的抗干扰能力和运行稳定性。
B50612D220K@P21
B50612D151K@P21
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