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1210N820G202CT 发布时间 时间:2025/7/5 1:57:13 查看 阅读:6

1210N820G202CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT),专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的封装技术,具有低寄生电感和良好的热性能,适用于开关电源、DC-DC转换器、射频放大器以及其他高性能电力电子系统。
  其 GaN 材料特性使其具备更快的开关速度和更高的效率,同时能够承受更高的工作电压,非常适合对效率和尺寸有严格要求的应用场景。

参数

最大漏源电压:800V
  连续漏极电流:4A
  导通电阻:0.2Ω
  栅极阈值电压:2V~6V
  最大工作结温:175℃
  封装形式:TO-247

特性

1210N820G202CT 的主要特性包括:
  1. 高耐压能力,支持高达 800V 的漏源电压,适合高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻(0.2Ω),减少传导损耗,提升整体效率。
  3. 快速开关性能,支持 MHz 级别的开关频率,满足高频应用需求。
  4. 内置反向恢复二极管功能,降低开关噪声并提高可靠性。
  5. 良好的热稳定性,能够在高温环境下持续稳定运行。
  6. 小型化设计,节省 PCB 空间,便于系统集成。
  这些特性使得该器件成为高压 DC-DC 转换器、太阳能逆变器以及电动车辆充电系统的理想选择。

应用

1210N820G202CT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率转换级。
  2. 工业用电机驱动控制器。
  3. 太阳能逆变器的核心功率处理模块。
  4. 电动车车载充电器及快速充电桩。
  5. 高效 DC-DC 转换器,尤其是隔离式或非隔离式拓扑结构。
  6. 高频谐振电路中的功率开关元件。
  由于其卓越的性能,这款芯片在各种需要高效率和小尺寸的电力电子设备中表现出色。

替代型号

1210N820G201CT, 1210N820G203CT

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1210N820G202CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥1.64828卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容82 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定2000V(2kV)
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高电压
  • 等级-
  • 应用SMPS 过滤器
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.053"(1.35mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-