晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　工作温度范围：-55°C至150°C

BR1SS355T1G具有出色的高频性能，过渡频率（fT）达到250 MHz，使其适用于射频（RF）和中频（IF）放大器设计。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，根据不同的工作电流条件，hFE可以从110到800变化，提供灵活的放大应用选择。
　　采用SOT-23封装，具有小尺寸、轻量化和良好的热性能，适用于表面贴装技术（SMT）工艺。
　　晶体管的最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为30 V，适用于多种低功率高频电路应用。
　　BR1SS355T1G的热阻较低，能够在较高的环境温度下稳定工作，适合工业级和商业级应用场合。
　　该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于环保电子产品设计。

BR1SS355T1G广泛应用于无线通信设备、射频放大器、中频放大器、振荡器和混频器等高频电路中。
　　由于其高频特性和紧凑的封装形式，该晶体管也常用于便携式电子设备，如手机、平板电脑和无线耳机等。
　　在射频前端模块中，BR1SS355T1G可以作为低噪声放大器（LNA）或驱动放大器使用，提高信号的增益和稳定性。
　　此外，该晶体管还适用于低功耗传感器电路、射频识别（RFID）系统和无线局域网（WLAN）设备。
　　在音频放大电路中，BR1SS355T1G可以用于前置放大器或信号调节电路，提供良好的线性放大性能。

2N3904, BC547, 2N2222, BFQ59, BFQ67