时间：2025/8/6 12:18:21
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IXGF25N250是一款由IXYS公司生产的高功率场效应晶体管（MOSFET），专为高电压和高电流的应用设计。这款MOSFET具有250V的漏源电压（Vds）和25A的连续漏极电流（Id），适用于各种工业和电源管理应用。
类型：MOSFET
晶体管类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：250V
最大漏极电流（Id）：25A
最大功耗（Ptot）：300W
导通电阻（Rds(on)）：0.12Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
IXGF25N250 MOSFET具有优异的导通和开关性能，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高能效。此外，该器件的高功率耗散能力使其适用于需要高可靠性和高性能的应用场景。该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的工作状态，确保系统的长期可靠性。
此MOSFET的设计使其在开关应用中表现出色，适用于电源转换器、DC-DC转换器和电机控制等高频应用。其高电压和高电流能力使其成为工业电源和高功率电子设备的理想选择。
IXGF25N250 MOSFET广泛应用于各种高功率电子设备中，包括工业电源、DC-AC逆变器、电机驱动器和高频电源转换器。它还适用于需要高电压和高电流能力的电源管理应用，如不间断电源（UPS）系统和电池充电器。此外，该器件也可用于高频焊接设备和电能质量调节设备，以提高系统的效率和可靠性。
IXFH25N250
