时间：2025/6/29 2:04:03
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SI7456DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于高效能电源管理、负载开关以及 DC-DC 转换器等应用。它采用小型化的表面贴装封装（DFN5x6），有助于节省 PCB 空间并提升系统效率。
这款 MOSFET 在消费电子、通信设备和工业控制等领域中有着广泛的应用场景。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：28A
导通电阻（Rds(on)）：1.3mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：24nC
总功耗：1.8W
工作温度范围：-55°C to +175°C
封装类型：DFN5x6
SI7456DP-T1-GE3 具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效减少传导损耗，从而提高整体电路效率。其小尺寸 DFN5x6 封装使得它可以轻松集成到空间受限的设计中，同时具备卓越的热性能以确保在高功率环境下的稳定运行。
此外，TrenchFET 第三代技术赋予了该器件出色的开关特性和抗噪能力，支持高频操作，并且可以显著降低电磁干扰 (EMI)。这些特点使其成为现代高效电源解决方案的理想选择。
该芯片适用于多种应用领域，包括但不限于：
- 笔记本电脑及平板电脑中的负载开关
- 手机和其他便携式设备内的电池保护电路
- 电机驱动与控制
- 开关模式电源 (SMPS)
- LED 驱动器
- 各类工业自动化设备中的信号处理模块
由于其强大的电气性能和紧凑型设计，SI7456DP-T1-GE3 成为众多高性能需求场合下的首选元件。
SI4470DP
Si7139DP
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