时间:2025/12/27 11:47:41
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B45294R1157M409 是由 TDK 公司生产的一款多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件属于 EPCOS 系列产品,专为高可靠性、高性能的电子电路设计而开发。此电容器采用标准的表面贴装(SMD)封装,尺寸为 1812(英制),即约 4.5 mm × 3.2 mm,适用于需要较高电容量和耐压能力的应用场景。B45294R1157M409 的标称电容值为 150 μF,额定电压为 4 V DC,具有 ±20% 的电容容差(M 表示容差等级)。该器件使用 X5R 陶瓷介质材料,具备良好的温度稳定性,在 -40°C 至 +85°C 的工作温度范围内,电容值变化不超过 ±15%。由于其较大的电容量和相对较小的物理尺寸,这款 MLCC 常用于替代传统的铝电解电容器或钽电容器,在空间受限但对性能要求较高的应用中表现优异。此外,该型号符合 RoHS 指令要求,不含铅和其他有害物质,适合现代绿色电子产品制造。
型号:B45294R1157M409
制造商:TDK/EPCOS
封装/外壳:1812(4532 公制)
电容:150 μF
额定电压:4 V DC
容差:±20%
介质材料:X5R
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
温度特性:ΔC/C ≤ ±15%(在温度范围内)
直流偏压特性:典型值在额定电压下电容下降约 50–60%
等效串联电阻(ESR):低,典型值在几十毫欧级别(具体取决于频率)
绝缘电阻:≥ 500 MΩ 或 ≥ 100 Ω·F(取较小者)
使用寿命:在额定电压和最高工作温度下可稳定运行至少 2000 小时
安装类型:表面贴装(SMD)
RoHS合规性:是
B45294R1157M409 作为一款高性能多层陶瓷电容器,具备多项关键特性,使其在现代电子设计中具有重要地位。首先,它采用了先进的叠层结构与高介电常数陶瓷材料(X5R),在有限的空间内实现了高达 150 μF 的电容值,显著提升了单位体积内的储能密度。相比传统电解电容,该器件无极性,避免了反接风险,并且不会出现干涸或漏液问题,极大提高了长期使用的可靠性。
其次,该电容器表现出优异的温度稳定性。X5R 材料确保其在 -40°C 到 +85°C 的宽温度范围内保持电容值波动在 ±15% 以内,适用于工业控制、通信设备及消费类电子产品中的复杂环境。尽管其电容会随着施加的直流偏压升高而下降——例如在接近 4V 额定电压时可能降至初始值的 40–50%,但在大多数低压电源去耦和滤波应用中仍能提供有效支持。
第三,该器件拥有极低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),这使得它在高频噪声抑制方面表现卓越,特别适合用于开关电源输出端的平滑滤波、FPGA 或微处理器的旁路去耦等场合。同时,SMD 表面贴装形式便于自动化生产和回流焊工艺,提升了制造效率和一致性。
最后,B45294R1157M409 符合环保标准,通过了 AEC-Q200 认证(如适用),可用于汽车电子系统中。其机械强度也经过优化,能够抵抗热冲击和板级应力,减少因温度循环导致的裂纹风险。综合来看,该电容器结合了大容量、小尺寸、高可靠性和良好高频响应的特点,是现代高密度 PCB 设计的理想选择之一。
B45294R1157M409 广泛应用于多种需要高效储能和稳定滤波的电子系统中。一个主要应用领域是电源管理电路,尤其是在 DC-DC 转换器、LDO 稳压器的输入和输出端,用作滤波电容以平滑电压波动并降低纹波噪声。由于其低 ESR 特性,能够在高频开关环境下有效吸收瞬态电流变化,提升电源系统的动态响应能力。
在数字系统中,该电容器常被部署在高性能处理器、ASIC、FPGA 和内存模块的供电引脚附近,作为去耦电容使用,以防止高速切换引起的电源塌陷和地弹现象,保障信号完整性。其快速充放电能力有助于维持局部电源轨的电压稳定,从而提高系统的抗干扰能力和运行可靠性。
此外,在汽车电子系统中,如车载信息娱乐系统、ADAS 控制单元和车身控制模块,该型号因其符合 AEC-Q200 标准(视具体批次而定)而被广泛采用。即使在发动机舱附近的高温环境中,也能保持稳定的电气性能。
消费类电子产品如智能手机、平板电脑、无线路由器等也大量使用此类大容量 MLCC,用于电池管理单元或射频模块的电源滤波。工业自动化设备、医疗仪器以及通信基站中的电源子系统同样依赖这种高可靠性电容器来保证长时间无故障运行。总之,凡是需要紧凑设计、高可靠性和优良高频特性的场合,B45294R1157M409 都是一个理想的选择。
B45294R1157M408
C322C157M5HACTU
GRM45F71H157ME11