时间：2025/8/20 21:59:18
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CM10S1030 是一款由Cissoid公司设计和生产的高耐温、高可靠性的SiC（碳化硅）功率MOSFET模块，专为高温、高功率密度和高效率的应用而设计。该模块基于碳化硅宽禁带半导体技术，具备优异的导通损耗和开关损耗特性。CM10S1030采用双功率封装设计，内部包含两个独立的SiC MOSFET器件，适用于半桥拓扑结构。该模块可在极端环境条件下（如高温或恶劣工业环境）稳定运行，广泛应用于电动汽车、航空航天、工业电源、可再生能源系统等领域。
类型：SiC MOSFET模块
器件数量：2个（双通道）
最大漏源电压（VDS）：1200V
连续漏极电流（ID）@25°C：30A
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
导通电阻（RDS(on)）：100mΩ（最大）
栅极电荷（Qg）：45nC
短路耐受能力：600V/30A，10μs
封装类型：双列直插式陶瓷封装（DIP）
绝缘耐压等级：1200V
热阻（Rth）：0.35K/W
CM10S1030具备多项高性能和高可靠性特点，首先，它采用了碳化硅材料，相比传统硅基MOSFET具有更高的热导率和更宽的禁带宽度，使其能够在更高温度下稳定工作。其次，该模块的导通电阻较低，确保了在高电流下的低损耗表现，从而提升整体系统的能效。此外，模块设计支持高频率开关操作，有助于减小外部无源元件的体积，提升系统功率密度。CM10S1030还具有良好的短路耐受能力，可以在发生短路故障时提供一定程度的自我保护，增强系统的稳定性与安全性。其双通道结构设计非常适合用于构建半桥电路，如DC-DC转换器、逆变器等，同时模块采用陶瓷封装，具备良好的电气绝缘性能和热稳定性。
在热管理方面，CM10S1030的封装设计确保了良好的散热性能，热阻仅为0.35K/W，能够在高功率密度应用中有效散热。该模块还支持在高达+175°C的结温下连续工作，适用于高温环境，如航空电子设备、油冷系统或高功率密度的电动汽车逆变器。此外，该模块的制造工艺符合AEC-Q101和MIL-STD-750等标准，具备极高的机械强度和环境适应性。
CM10S1030主要应用于需要高功率密度、高效率和高温稳定性的电力电子系统中。例如，在电动汽车领域，该模块可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器以及主驱逆变器，满足车辆在高温环境下的可靠运行需求。在工业领域，CM10S1030适用于高频率开关电源、UPS（不间断电源）、电焊机和工业电机驱动器。此外，在航空航天和国防系统中，由于其卓越的高温耐受性和可靠性，CM10S1030可用于恶劣环境下的电力转换系统。在可再生能源领域，该模块可用于光伏逆变器和储能系统，提升系统效率和可靠性。其双通道结构也使其非常适合构建半桥拓扑的谐振变换器和同步整流电路。
C3M0065065K、CMF10120D、SiC MOSFET模块Cree C2M0025120D、Wolfspeed CAS120M12BM2
