B4317 时间：2025/12/27 12:57:11 阅读：30

B4317是一款由英飞凌（Infineon） Technologies推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关模式电源（SMPS）等高效率功率转换场景。该器件采用先进的沟槽栅极技术与场截止工艺设计，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优异的热稳定性，能够在紧凑的空间内实现高效的电能转换。B4317特别适用于需要高可靠性和高性能的工业、消费类电子及汽车电子系统。其封装形式通常为小型表面贴装器件（如PG-TSDS-6或类似封装），有助于减少PCB占用面积，并支持自动化批量生产。此外，该MOSFET在设计上优化了栅极电荷和输出电容，从而降低了开关损耗，提升了整体系统效率。由于其良好的性价比和稳定供货能力，B4317被广泛用于DC-DC转换器、负载开关、逆变器电路以及电池管理系统中。

参数

型号：B4317
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：19A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：10.5mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：14.5mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　功耗（Ptot）：50W
　　输入电容（Ciss）：约1350pF
　　输出电容（Coss）：约470pF
　　反向恢复时间（trr）：快
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PG-TSDS-6（类似SuperSO8）

特性

B4317具有出色的电气性能和热稳定性，其核心优势之一是极低的导通电阻，在VGS=10V条件下RDS(on)仅为10.5mΩ，这显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。该特性尤其适合大电流应用场景，例如同步整流、H桥驱动和高密度电源模块。器件采用先进的沟槽式场截止技术，不仅提升了载流子迁移率，还有效抑制了短沟道效应，确保在高温和高电压应力下仍能保持稳定的性能表现。
　　另一个关键特性是其优化的开关行为。B4317拥有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，同时能够有效降低开关过程中的电压振荡和电磁干扰（EMI）。这对于提高开关电源的工作频率、缩小磁性元件体积以及提升动态响应速度至关重要。此外，该MOSFET具备快速的体二极管反向恢复能力，有助于减少换流过程中的尖峰电压和能量损耗，尤其在硬开关拓扑中表现出色。
　　从可靠性角度看，B4317通过了严格的工业级和汽车级认证测试，具备优良的抗雪崩能力和热循环耐久性。其封装结构采用铜夹连接技术（Copper Clip Technology），相比传统键合线工艺，大幅降低了内部寄生电阻和电感，增强了散热效率和机械强度。这种设计使得器件即使在持续高负载或瞬态过流条件下也能维持稳定运行。同时，+150°C的最大结温允许其在恶劣环境温度下正常工作，适用于车载电子、工业控制等严苛应用场合。

应用

B4317广泛应用于多种中低电压功率转换系统中。典型用途包括但不限于：同步降压变换器（Buck Converter），作为主开关或同步整流管使用，因其低RDS(on)和快速开关特性可显著提升转换效率；升压变换器（Boost Converter）和DC-DC升压模块中的功率开关，适用于便携设备、LED驱动电源等场景；H桥和半桥电机驱动电路，用于控制直流电机或步进电机的方向与转速，常见于电动工具、家用电器和机器人控制系统中。
　　此外，该器件也常用于电池供电系统的负载开关或理想二极管应用，防止反向电流并实现高效能量传输，适用于移动电源、UPS不间断电源和电池管理系统（BMS）。在汽车电子领域，B4317可用于车身控制模块、车灯驱动、电动门窗控制器等12V低压系统中，满足AEC-Q101可靠性标准要求。其小型化封装还使其成为空间受限应用的理想选择，如智能手机外设电源管理、平板电脑内部DC-DC模块、IoT智能设备的嵌入式电源系统等。得益于其高性价比和稳定供货能力，B4317也成为许多工业电源制造商的首选元器件之一。