MA0402CG0R5D100 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,主要用于高频开关电源、DC-DC转换器和无线充电等应用领域。该器件采用先进的封装工艺,具有出色的开关性能和低导通电阻特性。此外,其高耐压能力和快速开关速度使得它在高效率电力电子设计中表现出色。
MA0402CG0R5D100 以小尺寸和高性能著称,适用于需要高功率密度和紧凑设计的应用场景。
型号:MA0402CG0R5D100
类型:增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)
额定电压:650V
额定电流:7A
导通电阻:50mΩ(典型值)
栅极电荷:35nC(最大值)
开关速度:10ns(典型值)
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
封装形式:DFN8
MA0402CG0R5D100 拥有卓越的电气性能,主要体现在以下几个方面:
1. 高效性:由于其低导通电阻和低栅极电荷的特点,可以显著降低导通损耗和开关损耗。
2. 快速开关能力:具备极快的开关速度,能够支持高达数兆赫兹的工作频率,从而减少磁性元件的体积并提升整体系统效率。
3. 热稳定性强:能够在宽温度范围内保持稳定的电气特性,适合恶劣环境下的应用。
4. 小型化设计:采用 DFN8 封装,体积小巧,便于实现高密度电路板布局。
5. 高可靠性:经过严格的质量控制流程,确保产品在长时间运行中的稳定性和耐用性。
这款功率晶体管广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括适配器、充电器以及工业电源。
2. DC-DC 转换器:适用于笔记本电脑、服务器和其他消费类及工业设备。
3. 无线充电系统:支持高效能量传输,满足 Qi 标准或其他定制协议。
4. LED 驱动器:用于大功率 LED 照明解决方案。
5. 太阳能逆变器:优化光伏系统的能源转换效率。
6. 电机驱动:提供高精度的电流控制,适用于各类电机应用。
MA0402CG0R5D090, MA0402CG0R5D110