产品型号：B3952H-9P
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装/外壳：PowerPAK SO-8
　　漏源电压(Vdss)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id) @25°C：48A
　　脉冲漏极电流(Id)：190A
　　导通电阻(Rds On) @Vgs = 10V：4.7mΩ
　　导通电阻(Rds On) @Vgs = 4.5V：6.7mΩ
　　导通电阻(Rds On) @Vgs = 2.5V：9.5mΩ
　　导通电阻(Rds On) @Vgs = 1.8V：12.5mΩ
　　导通延迟时间(td on)：8ns
　　关断延迟时间(td off)：14ns
　　输入电容(Ciss)：1900pF
　　输出电容(Coss)：680pF
　　反向恢复电荷(Qrr)：14nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　安装方式：表面贴装(SMD)

B3952H-9P采用Vishay专有的TrenchFET技术，这种先进的制造工艺通过优化沟道结构显著降低了单位面积的导通电阻，从而实现了超低Rds(on)值，即使在低栅极驱动电压下也能保持优异性能。该器件在Vgs=4.5V时Rds(on)仅为6.7mΩ，在Vgs=2.5V时仍可达到9.5mΩ，表明其出色的低电压驱动能力，非常适合用于由低压微控制器或数字信号处理器直接驱动的应用场景。其低导通损耗有助于提升整体系统效率，减少发热，进而降低散热设计复杂度与成本。器件的封装采用PowerPAK SO-8，相较于传统SO-8封装，去除了引线框架并采用铜夹连接（clip-bonding）技术，大幅提高了电流承载能力和热传导效率，有效降低了封装本身的电阻和电感成分，提升了高频开关性能。
　　此外，B3952H-9P具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这使得在高频PWM控制中能够快速开启和关闭，减少开关损耗，特别适用于高频DC-DC变换器拓扑如Buck、Boost和半桥电路。其输入电容约为1900pF，输出电容为680pF，配合快速的开关时间（开通延迟8ns，关断延迟14ns），可在数百kHz至数MHz频率范围内高效运行。器件还具备良好的体二极管特性，反向恢复电荷仅为14nC，减少了续流过程中的能量损失和电磁干扰问题。
　　该MOSFET的工作结温可达+150°C，支持宽泛的环境工作温度范围（-55°C至+150°C），确保在严苛工业环境下稳定运行。同时，其±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的驱动安全性，防止因过压导致栅氧击穿。所有电气参数均经过严格测试，并提供完整的数据手册和SPICE模型支持，便于工程师进行仿真验证与设计优化。综合来看，B3952H-9P是一款高性能、高可靠性的功率开关器件，适用于追求小型化、高效率和高功率密度的现代电子系统。

B3952H-9P因其低导通电阻、高电流能力和优异的开关特性，被广泛应用于各类电源管理系统中。典型应用包括同步整流式DC-DC降压（Buck）转换器，其中作为高端或低端开关使用，能够显著降低导通损耗，提高转换效率，尤其适用于服务器主板、通信设备和嵌入式系统的供电模块。在负载开关电路中，该器件可用于控制电源路径的通断，实现上电时序管理、浪涌电流限制和多电源域切换功能，常见于便携式设备如笔记本电脑和平板电脑的电源管理单元。此外，它也可用于电池供电系统的电源分配、热插拔控制器以及电机驱动电路中的H桥拓扑，执行快速启停和方向控制。
　　由于其支持逻辑电平驱动，B3952H-9P可以直接由微控制器GPIO口或专用驱动IC控制，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂性。在大电流LED驱动、USB PD电源开关和PoE（Power over Ethernet）供电端设备中也有广泛应用前景。其高可靠性与紧凑封装使其成为替代传统TO-220或DPAK封装MOSFET的理想选择，特别是在PCB空间受限但需要高功率输出的应用中表现出色。此外，该器件还可用于逆变器、UPS不间断电源和工业自动化控制系统中的功率切换环节，提供稳定的电流控制与保护机制。凭借全面的保护特性和成熟的制造工艺，B3952H-9P适用于汽车电子辅助系统（非动力总成类）、医疗设备电源模块以及消费类高端电子产品。

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