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SI2319CDS-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/30 10:45:48 查看 阅读:3

SI2319CDS 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术,具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度的特点,适用于各种高频开关和功率转换应用。其封装形式为小型化的 TSOP6 封装,有助于节省 PCB 空间并提高设计灵活性。
  该器件在消费电子、通信设备以及工业应用中广泛使用,特别是在需要高效能和紧凑设计的场合。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:4.9A
  导通电阻(典型值):8.5mΩ
  栅极电荷:7.5nC
  开关频率:高达 MHz 级别
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:TSOP6

特性

SI2319CDS 的主要特点是低导通电阻 (Rds(on)),这可以显著降低功率损耗并提升效率。此外,其快速开关性能使得它非常适合高频开关应用。TrenchFET 第三代技术的应用也提高了器件的整体性能和可靠性。
  该器件还具备出色的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能。其紧凑的 TSOP6 封装有助于简化 PCB 布局,并减少整体解决方案的尺寸。
  另外,由于采用了 Vishay 的先进制造工艺,SI2319CDS 具有较高的抗静电能力 (ESD),从而增强了其在实际应用中的耐用性。

应用

SI2319CDS 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电源管理模块等领域。它特别适合于需要高效率和小尺寸的便携式电子产品,例如智能手机充电器、平板电脑适配器和笔记本电脑电源解决方案。
  此外,该器件还可用于通信设备中的功率调节电路,以及工业控制中的小型化功率转换系统。其低 Rds(on) 和高开关速度使其成为现代电子设备的理想选择。

替代型号

SI2306DS, SI2314CDS, IRF7843TRPBF

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SI2319CDS-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C77 毫欧 @ 3.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds595pF @ 20V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI2319CDS-T1-GE3TR