型号：B39162B9444M410
　　制造商：TDK
　　产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：4.4 pF
　　容差：±0.5 fF
　　额定电压：100 V
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0402（1.0 mm x 0.5 mm）
　　介质材料：陶瓷（C0G/NP0）
　　电极材料：内部电极为贵金属（如银钯合金）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　Q 值：≥ 1000（典型值，1 GHz 下）
　　自谐振频率（SRF）：> 10 GHz
　　直流电阻（DCR）：极低
　　绝缘电阻：≥ 100 GΩ
　　耐湿性：符合 IEC 60068-2-67 标准
　　可焊性：符合 IEC 60068-2-20 标准

B39162B9444M410 具备卓越的电气稳定性，其核心介质材料为 C0G（也称为 NP0），这是一种具有零温度系数的陶瓷配方，确保电容值在 -55°C 至 +125°C 的整个工作温度范围内几乎不随温度变化而漂移，电容变化不超过 ±30 ppm/°C。这种极高的温度稳定性使其成为精密振荡器、滤波器和匹配网络中的理想选择，尤其适用于对频率精度要求严苛的射频前端模块。该器件的超小容差（±0.5 fF）进一步提升了其在高频模拟电路中的精度表现，能够有效减少因元件偏差导致的信号失配问题。
　　在高频性能方面，B39162B9444M410 表现出极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而实现非常高的品质因数（Q 值），在 1 GHz 频率下 Q 值可达 1000 以上。这使得它在微波频段内仍能保持高效的能量存储与传输能力，显著降低信号损耗，提升系统整体效率。其自谐振频率（SRF）超过 10 GHz，意味着在常见射频应用频段（如 2.4 GHz、5 GHz Wi-Fi、LTE、毫米波等）内始终处于容性工作区，避免因感性转变带来的性能下降。
　　该电容器采用多层结构设计，通过精细的印刷与堆叠工艺实现高可靠性与一致性。内部电极为贵金属材料（如银钯合金），不仅提高了焊接可靠性，还增强了抗迁移能力和长期稳定性。其封装符合 RoHS 指令，并具备优良的抗热冲击性能，可在回流焊过程中承受多次高温循环而不损坏。此外，该器件具有优异的抗老化特性，电容值不会随时间推移发生明显衰减，适合长期运行的通信设备和工业控制系统使用。

B39162B9444M410 主要应用于高频和超高频电子系统中，特别是在射频识别（RFID）、无线局域网（WLAN）、蓝牙、5G 移动通信、卫星通信和雷达系统中发挥关键作用。由于其出色的温度稳定性和低损耗特性，常被用于构建压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）、带通滤波器、阻抗匹配网络以及天线调谐电路等核心模块。在这些应用中，微小的电容波动都可能导致频率偏移或信号失真，因此必须使用像 B39162B9444M410 这样高精度、高稳定性的电容器来保证系统性能的一致性。
　　在测试与测量设备领域，例如矢量网络分析仪（VNA）、频谱分析仪和高频探头中，该器件也被广泛用于校准电路和参考路径设计，以确保测量结果的准确性和重复性。此外，在航空航天和国防电子系统中，由于其能够在极端环境条件下稳定工作，B39162B9444M410 被用于机载通信系统、电子对抗设备和导航系统的射频前端设计。其小型化封装也使其适用于空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑和物联网终端中的射频前端模组，帮助实现更高的集成度和更优的射频性能。

GRM1555C1H4R4WA01D
　　CC0402JRNPO9BN4R4
　　C1005C0G1H4R4W