器件类型：肖特基二极管
　　配置：双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　平均整流电流（IO）：30A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：150A
　　正向电压降（VF）：0.57V（典型值，@ IF = 30A, TJ = 75°C）
　　反向漏电流（IR）：0.1mA（典型值，@ VR = 100V, TJ = 25°C）；5mA（最大值，@ VR = 100V, TJ = 125°C）
　　反向恢复时间（trr）：≤ 35ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247AC
　　安装方式：通孔（Through-Hole）

30CTQ100GPBF的核心特性之一是其超快软恢复性能，这使得它在高频开关应用中表现尤为出色。传统的肖特基二极管虽然具有低正向压降的优点，但在某些情况下可能因寄生电容和载流子存储效应导致反向恢复过程中出现电流尖峰或振铃现象。而30CTQ100GPBF通过优化PN结与肖特基金属界面的设计，实现了更平滑的关断过程，显著减少了反向恢复期间的能量损耗和电压过冲，提升了系统的整体效率与稳定性。这种“软恢复”特性对于降低电磁干扰（EMI）至关重要，尤其在对噪声敏感的应用如通信设备或精密测量仪器中尤为重要。
　　另一个关键特性是其出色的热性能。得益于TO-247AC封装的大面积金属背板设计，30CTQ100GPBF能够有效地将内部产生的热量传导至外部散热器，从而避免局部过热导致的性能下降或器件失效。即使在持续大电流工作的条件下，该器件仍能保持较低的工作结温，延长使用寿命并增强系统可靠性。此外，其宽泛的工作结温范围（-65°C 至 +150°C）使其适用于极端环境下的工业级和汽车级应用。
　　该器件还具备优异的抗浪涌能力，额定峰值浪涌电流高达150A，能够在短时过载或启动冲击下安全运行而不发生损坏。这一特性使其非常适合用于存在瞬态电流冲击的电源系统中，例如电机驱动器或UPS不间断电源。同时，低反向漏电流设计保证了在高温环境下依然拥有良好的阻断能力，防止不必要的功耗增加。综合来看，30CTQ100GPBF凭借其低VF、快速响应、良好热管理及高可靠性，成为高性能电源设计中的理想选择。

30CTQ100GPBF广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。其主要应用场景包括但不限于：开关模式电源（SMPS），特别是在服务器电源、电信电源和工业电源模块中，作为输出整流级使用，可显著提升转换效率并减少散热需求；DC-DC转换器，尤其是在低压大电流输出的同步整流架构中，用作续流二极管以降低导通损耗；逆变器系统，如太阳能逆变器和UPS电源中，用于能量回馈路径的快速切换与保护；以及各类需要高效能整流功能的工业控制设备、电动工具电源单元和电动汽车充电模块等。
　　在同步整流拓扑中，尽管主开关通常采用MOSFET实现主动控制，但在死区时间和轻载条件下，体二极管仍会导通，此时一个具有低正向压降和快速恢复特性的外接肖特基二极管（如30CTQ100GPBF）可以并联使用，以减少体二极管导通带来的损耗，从而进一步优化轻载效率。此外，该器件也常用于钳位电路和自由轮转（freewheeling）电路中，吸收感性负载断开时产生的反向电动势，保护主开关器件免受高压击穿风险。由于其具备较强的浪涌耐受能力和良好的温度稳定性，30CTQ100GPBF也被推荐用于汽车电子系统中的辅助电源和车载充电装置，满足AEC-Q101等车规级认证的相关要求。总体而言，该器件适用于所有追求高能效、小型化和高可靠性的现代电源设计领域。

VS-30CTQ100-M3
　　STPS30M100S
　　MBR30H100CTG
　　CSD30100D