B20NK50Z 时间：2025/7/23 14:43:32 阅读：5

B20NK50Z是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高效能功率开关的场合。这款器件具备低导通电阻、高耐压以及良好的热稳定性等优点，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种开关电源设备中。B20NK50Z采用TO-220封装形式，确保了在高功率操作下的可靠性和稳定性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：20A
　　漏极-源极电压（VDS）：500V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.23Ω（最大值0.28Ω）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

特性

B20NK50Z具有低导通电阻的特点，使其在导通状态下的功率损耗显著降低，提高了整体效率。此外，该MOSFET具备高耐压能力，漏极-源极电压可达500V，适用于高压电路设计。器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，确保在高功率应用中的稳定运行。
　　这款MOSFET还具备较高的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外围电路的尺寸和成本。其栅极驱动电压范围较宽，可在多种电源管理方案中灵活使用。B20NK50Z的热稳定性优异，能够在高温环境下持续工作，增强了系统的可靠性。
　　该器件的封装形式便于安装和散热设计，适合工业级应用的需求。同时，B20NK50Z具备良好的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中保持稳定工作。

应用

B20NK50Z广泛应用于各种电力电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路、电池管理系统以及工业自动化控制系统等。其高耐压和低导通电阻特性使其特别适合用于高压直流电源转换和功率控制场合。
　　在消费类电子产品中，B20NK50Z可用于电源适配器、LED照明驱动电路以及智能家电的电源管理模块。在工业领域，该器件可用于UPS（不间断电源）、变频器以及自动化控制系统的功率开关部分。
　　由于其高可靠性和良好的热管理能力，B20NK50Z也常用于新能源设备，如太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块中。