时间：2025/7/11 18:32:55
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DMTH10H025LPSQ 是一款基于沟槽技术的 N 沟道功率 MOSFET，专为低导通电阻和高效率应用设计。该器件采用 DPAK (TO-252) 封装形式，具有良好的散热性能和耐用性。它适用于多种开关电源、DC/DC 转换器以及电机驱动等应用场景。
这款功率 MOSFET 在设计时充分考虑了在高频开关环境中的表现，通过优化栅极电荷和输出电容参数，显著降低了开关损耗，同时保持较低的导通电阻，从而提升了整体系统效率。
最大漏源电压：25V
连续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：19nC
输入电容：790pF
总功耗：45W
工作温度范围：-55℃至175℃
DMTH10H025LPSQ 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提升效率。
2. 优化的栅极电荷和开关特性，适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
5. 具备出色的热性能，能够应对高功率密度的应用场景。
6. 支持快速开关，减少了开关过程中的能量损失。
7. 采用无铅封装，满足现代电子产品的环保要求。
该型号的 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），例如 PC 电源、适配器和充电器。
2. DC/DC 转换器，在汽车电子和工业控制中常见。
3. 电机驱动，用于家用电器、电动工具及工业自动化设备。
4. 和储能系统中。
5. 照明应用，如 LED 驱动器。
其高效率和低损耗的特点使其成为许多功率转换和控制应用的理想选择。
DMTH10H025LP,
IRLB8748PBF,
FDP16N25,
AOT28E,
STP10NK06Z
